[发明专利]场发射增强的发光平板显示器件无效

专利信息
申请号: 01136072.0 申请日: 2001-10-08
公开(公告)号: CN1337664A 公开(公告)日: 2002-02-27
发明(设计)人: 徐征;徐叙瑢 申请(专利权)人: 北方交通大学
主分类号: G09G3/02 分类号: G09G3/02;G09G3/20
代理公司: 北京港归专利事务所 代理人: 韩宝田
地址: 100044 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明的场发射增强的发光平板显示器件由透明导电层ITO(氧化锡铟)、复合发光层和背电极构成,特征在于背电极采用场发射矩阵(1),由半导体加速层(2)和无机或有机发光层(3)构成的复合发光层是全固态的,它和透明导电层ITO依次淀积在场发射矩阵上。利用场发射矩阵强电子发射的功能优势,使器件的发光亮度和工作功率得到很大的提高,克服了现有平板显示技术中高亮度难以实现的难题。由于本发明是全固体化的,这既克服了场发射显示器件真空度高难以制备等方面的不足,又可避免场发射矩阵受到污染等因素的影响,使器件的发光寿命得到保证。本发明以其发光亮度高、发光效率好、发光稳定和易于制备的特性具有很强的开发和应用价值。
搜索关键词: 发射 增强 发光 平板 显示 器件
【主权项】:
1.场发射增强的发光平板显示器件由透明导电层ITO(氧化锡铟)(4)、复合发光层和背电极(1)构成,其特征在于:背电极(1)采用场发射矩阵(FEA),由半导体加速层(2)和无机或有机发光层(3)构成的复合发光层是全固态的,复合发光层和透明导电层ITO依次淀积在场发射矩阵上。
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