[发明专利]场发射增强的发光平板显示器件无效
申请号: | 01136072.0 | 申请日: | 2001-10-08 |
公开(公告)号: | CN1337664A | 公开(公告)日: | 2002-02-27 |
发明(设计)人: | 徐征;徐叙瑢 | 申请(专利权)人: | 北方交通大学 |
主分类号: | G09G3/02 | 分类号: | G09G3/02;G09G3/20 |
代理公司: | 北京港归专利事务所 | 代理人: | 韩宝田 |
地址: | 100044 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 增强 发光 平板 显示 器件 | ||
一、技术领域
本发明涉及一种固态薄膜发光平板显示器件,主要是用于中小屏幕的显示器。
二、背景技术
当前,由于信息存储的网络化及个体化,显示技术必然要从已有几十年应用历史的电子束管向平板化发展。平板显示技术分主动显示及被动显示两大类。被动式显示的杰出代表是液晶,已占有大量市场,但由于它的工作原理及工艺条件的限制,它的发展注定不如主动发光显示更有前景。主动发光的平板显示技术主要包括:用于大屏幕的等离子体显示、用于中小屏幕的场发射显示(FED)和无机、有机的薄膜场致发光平板显示。场发射显示沿用阴极射线发光原理,以场发射矩阵(FEA)作为初电子源,提供大量初电子,使其在高真空10-9乇中被加速后轰击发光屏,从而实现发光,它以交叉矩阵的电极控制驱动线路来实现显示。这种采用场发射矩阵作为阴极的场发射显示被认为是将阴极射线显示管平板化的最佳方案,在全球迅速组成了Pixel,Raytheon,等多家公司。但十多年过去了,它仍不能投产,其中最主要的原因是10-9乇的高真空既难达到,又难维持,其电子发射源FEA很容易因受到污染或离子注入而丧失发射电子的功能。这样,即便克服达到高真空的困难制成了器件,其工作寿命也不长。这使得场发射矩阵的强电子发射功能优势迟迟得不到实际应用。近年来,无机、有机薄膜场致发光平板显示器件的研究取得了很大进展,无机薄膜场致发光已有近20年的生产历史,有机薄膜场致发光已在试制,产品即将问世。显示出很大的应用前景。尤其是不久前我们提出的申请号为:01120505.9,发明名称为:“固态类阴极射线发光平板显示器件”和申请号为:01124195.0,发明名称为:“混合激发发光平板显示器件”的两个发明申请中分别利用类阴极射线发光原理(指在固体中被加速的电子直接碰撞激发发光体产生的发光)和有机无机复合的混合激发发光原理使平板显示器件的发光亮度能得到有效提高,为其产业化奠定了基础。但由于受阴极发射电子数量的限制,在有些场合需要有更强的发光、更高的工作功率时,靠现有的薄膜平板显示器件本身就有困难。
三、发明内容
本发明将场发射矩阵用于薄膜平板显示器件中作为电子发射阴极,利用其强电子发射的功能优势,使平板显示器件的发光亮度和工作功率在现有技术基础上得到一个很大的提高,从而克服了现有平板显示技术中高亮度难以实现的难题。
本发明场发射增强的发光平板显示器件由透明导电层ITO(氧化锡铟)、复合发光层和背电极构成,其特征在于:背电极采用场发射矩阵,由半导体加速层(2)和无机或有机发光层(3)构成的复合发光层是全固态的,复合发光层和透明导电层ITO依次淀积在场发射矩阵上。
本发明的场发射增强的发光平板显示器件采用场发射矩阵作为薄膜平板显示器件的背电极,利用场发射矩阵强电子发射的功能优势,可大大提高器件的激发电流,增大工作功率,提高发光效率,使器件的发光亮度得到很大提高。同时,由于本发明是全固体化的,这既克服了当前场发射显示器件真空度高难以制备等方面的不足,又可避免场发射矩阵受到污染等因素的影响,使器件的发光寿命得到保证。本发明以其发光亮度高、发光稳定和易于制备的特性具有很强的开发和应用价值。
四、附图说明
图1为交流驱动的场发射增强的发光平板显示器件结构示意图。
图2为直流驱动的场发射增强的发光平板显示器件结构示意图。
图中:1为作为背电极的场发射矩阵(FEA),它分为平面型和尖锥形两种;2为半导体加速层;3为有机或无机发光层;4为透明导电层ITO;ac表示交流驱动;dc表示直流驱动。
五、具体实施方式
实施例1:
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