[发明专利]场发射增强的发光平板显示器件

权利要求书

1.场发射增强的发光平板显示器件由透明导电层ITO(氧化锡铟)(4)、复合发光层和背电极(1)构成，其特征在于：背电极(1)采用场发射矩阵(FEA)，由半导体加速层(2)和无机或有机发光层(3)构成的复合发光层是全固态的，复合发光层和透明导电层ITO依次淀积在场发射矩阵上。

2.根据权利要求1所述的场发射增强的发光平板显示器件，其特征在于：复合发光层由半导体加速层(2)、有机发光层(3)、半导体加速层(2)构成；半导体加速层(2)可采用SiO₂、ZnO、ZnS等II-VI族化合物，每个半导体加速层(2)的厚度(场发射矩阵为尖锥形时，半导体加速层厚度由场发射矩阵的尖锥顶端算起)为50nm～150nm；有机发光层(3)可采用有机高分子发光材料PPV、MEH-PPV或有机小分子材料Alq3等，其厚度为20nm；用交流电场激发器件，产生增强的类阴极射线发光。

3.根据权利要求1所述的场发射增强的发光平板显示器件，其特征在于：复合层发光层由半导体加速层(2)、无机场致发光层(3)、半导体加速层(2)构成；半导体加速层(2)可采用SiO₂、ZnO、ZnS等II-VI族化合物，每个半导体加速层(2)的厚度(场发射矩阵为尖锥形时，厚度由场发射矩阵的尖锥顶端算起)为50nm～150nm；无机场致发光层(3)可采用ZnSe、ZnS、ZnO、CaS及含氧硫化物等常用的无机场致发光材料或掺入无机发光中心的上述材料，它的厚度取200nm～400nm，用交流电场激发器件，产生增强的无机场致发光。

4.根据权利要求1所述的场发射增强的发光平板显示器件，其特征在于：复合发光层由半导体加速层(2)、有机发光层(3)构成；半导体加速层(2)可采用SiO₂、ZnO、ZnS等II-VI族化合物，半导体加速层(2)的厚度(场发射矩阵为尖锥形时，由场发射矩阵的尖锥顶端算起)为50nm～150nm；有机发光层可采用有机高分子发光材料PPV、MEH-PPV或有机小分子材料Alq3等，其厚度为20nm；用直流电场激发，ITO接正极，FEA接负极，此器件可产生增强的类阴极射线发光和增强的有机场致发光两种混合激发的发光。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的场发射增强的发光平板显示器件，其特征在于：半导体加速层(2)内掺杂一定量的无机发光中心如Mn，稀土元素Er、Ce、Eu、Tm等；则器件还可产生增强的无机场致发光。