[发明专利]基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅组件的制造方法有效
| 申请号： | 01134769.4 | 申请日： | 2001-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1419280A | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | 叶彦宏;范左鸿;刘慕义;詹光阳;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅组件的制造方法，包括在基底上依序形成第一氧化层、捕捉层与第二氧化层，再在第二氧化层上形成罩幕图案作为植入罩幕，进行一离子植入工艺，以在基底中形成埋入式位线。接着去除部分罩幕图案与未被罩幕图案覆盖的第二氧化层与捕捉层，以使罩幕图案的间隙尺寸增加，并使部分第一氧化层裸露出来。再以罩幕图案作为植入罩幕，进行一口袋离子植入工艺，以在埋入式位线的轮廓周缘形成口袋型掺杂区。接着去除罩幕图案，再以捕捉层为罩幕，进行热处理，以在基底上形成埋入式位线氧化层，最后在基底上形成一字线。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 氧化 氮化 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅组件的制造方法，其特征为：包括：在一基底上形成一第一氧化层、一捕捉层、一第二氧化层；在该第二氧化层上形成一罩幕图案；以该罩幕图案为植入罩幕，进行一离子植入工艺，以在该基底中形成一埋入式位线；去除部分该罩幕图案，并去除未被该罩幕图案所覆盖的该第二氧化层与该捕捉层，以使该罩幕图案的间隙尺寸增加，并使部分该第一氧化层裸露出来；以该罩幕图案为植入罩幕，进行一口袋离子植入工艺，以在该埋入式位线的轮廓周缘形成一口袋型掺杂区；去除该罩幕图案；以该捕捉层为罩幕，进行一热处理，以在该基底上形成一埋入式位线氧化层，该埋入式位线氧化层是位在该埋入式位线上；以及在该基底上形成一字线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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