[发明专利]一种微型显示器件及其制作工艺

摘要

本发明属于微小发光器件包括：衬底基片、限制层、发光层、隔离沟道、电极、光阑、保护层。在超高亮度发光芯片上光刻、蒸发、退火形成上电极；在上表面溅射、光刻形成发光二极管图形，刻蚀形成上隔离沟道；在下表面光刻、蒸发下电极，刻蚀形成背隔离沟道，腐蚀掩蔽层后退火；在上表面光刻形成光阑，并制作透光保护层；在下表面光刻形成背面保护层。采用了无机主动发光二极管芯片材料制备微显示器件，结构简单、牢固、响应快；采用了无机发光二极管芯片材料制备微显示器件，克服了有机发光器件驱动电流低而限制光输出强度的问题，提高了光输出的强度，从而提供一种自发光、体积小、功耗低并基于高亮度发光芯片上的微显示器及其制备工艺。

主权项

1、一种微型显示器件及其制作工艺，其特征在于工艺步骤如下：(A)、以无机ALGaInP和GaAlAs作发光层的超高亮度发光二极管芯片材料由衬底基片(1)、下限制层(2)、发光层(4)、上限制层(5)组成，在高亮度发光二极管芯片上，用光刻胶进行掩膜光刻，在发光芯片上表面形成光刻胶图形，带胶蒸发电极金属层后去胶，在保护气氛下退火形成欧姆接触的上电极(6)；(B)、在步骤A完成后形成的器件的上表面溅射一层二氧化硅或氮化硅，然后在二氧化硅或氮化硅上进行二次光刻形成发光二极管条形图形，并使上电极位于条形图形中间；(C)、将步骤B未被光刻胶覆盖的二氧化硅或氮化硅刻蚀掉露出发光芯片中条形图形以外的部分，用等离子干法刻蚀或化学刻蚀的方法将暴露的发光芯片刻蚀到下限制层(2)的上表面，则形成了上隔离沟道(7)；(D)、在衬底基片(1)的表面光刻出背电极图形并带胶蒸发电极金属作为下电极(8)，去胶后，在暴露的部分进行干法刻蚀或湿法刻蚀适当的深度形成背隔离沟道(3)，刻蚀最大深度至上限制层(5)下表面；(E)、去除步骤D中的光刻胶及二氧化硅或氮化硅，在适当的温度下用保护气体保护进行退火；(F)、将光刻胶中掺入一定量的纳米有色绝缘颗粒并在步骤E的上表面涂覆并光刻，使在背隔离沟道(3)、上隔离沟道(7)的正上方形成一定厚度的光刻胶光阑(9)；(G)、在步骤F完成后形成的器件的上表面覆盖环氧树脂并在适当的温度下固化形成透光保护层(10)；(H)、在步骤E完成后形成的器件的下表面留出部分下电极(8)，其余部分用透明环氧树脂覆盖并在适当的温度下固化形成背面保护层(11)。