[发明专利]用于超高密度数据存储器件的铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟－镓硫系化物的相变介质

摘要

一种使用铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟－镓的硫系化物薄膜的超高密度数据存储介质(902),其目的是形成一些起着光电导、光生伏打、或光致发光的半导体器件作用的位存储区(904),当暴露于电磁辐射下时这些位存储区就产生电信号;或形成一些起着阴极射线电导、阴极射线生伏打、或阴极射线发光的半导体器件作用的位存储区(904),当暴露于电子束下时这些位存储区就产生电信号。位的两个数值由该数据存储介质的两个固相,即晶态相和非晶态相来表示,两相之间的转变可用加热该位存储区的方法来实现。

主权项

1.一种超高密度的基于相变的数据存储介质(902)，由包括从下列物质中选出的一种半导体化合物的一层或多层半导体膜制作：铟的硫系化物；镓的硫系化物；铟-镓硫系化物。