[发明专利]透明导电膜前电极晶体硅太阳能电池有效

专利信息
申请号: 01129013.7 申请日: 2001-10-31
公开(公告)号: CN1416179A 公开(公告)日: 2003-05-07
发明(设计)人: 冯良桓;蔡亚平 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/068
代理公司: 成都信博专利代理有限责任公司 代理人: 刘金蓉
地址: 610065 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 透明导电膜前电极晶体硅太阳电池属于一种的新结构的光伏电池。其要点是用透明导电薄膜作前电极,来代替栅状前电极及减反射层。本发明的透明导电膜前电极是迭层结构,即先在已形成n-p结的硅基底上,制作厚度小于100nm的高电阻透明导电膜,然后按电导和减反射的要求制作厚度大于150nm的高电导透明导电膜。可使转换效率提高25-35%。制作成本比现有技术有所降低。
搜索关键词: 透明 导电 电极 晶体 太阳能电池
【主权项】:
1.一种晶体硅太阳能电池,其结构为背电极/制有n-p结的晶体硅/前电极,其特征是前电极为透明导电膜前电极。
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