[发明专利]用于照射紫外线的装置有效
| 申请号： | 01124818.1 | 申请日： | 2001-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1162894C | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 朴庸硕;韩占烈 | 申请（专利权）人： | 株式会社D.M.S |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/461;C03B32/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于照射紫外线的装置，包括：真空室，在其一侧设置有供气部件和真空排气口；光源，设置在所述真空室的上部，用于将紫外线发射到所述基片的表面上；支持架，用于支持所述基片；和控制部件，其中在低真空状态下，所述真空室的内部压强为360-1mTorr，来自所述光源的紫外线照射到所述基片的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 照射 紫外线 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于照射紫外线的装置，包括：上和下驱动部件，用于驱动基片上和下移动；处理室，设置在所述上和下驱动部件上；石英窗，设置在所述处理室的上部；和光源部件；其特征在于：所述石英窗封装所述基片的整个被照射的区域；外壳固定到所述石英窗上形成密封的空间；在所述密封的空间中设置有光源，用于照射所述基片的一部分，并设置有驱动源，用于驱动所述光源；并且驱动所述光源向所述基片右和左移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
