[发明专利]自旋阀及其制造方法无效
| 申请号： | 01123139.4 | 申请日： | 2001-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1333534A | 公开（公告）日： | 2002-01-30 |
| 发明（设计）人： | 姆斯塔法·皮纳巴塞 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G11B5/33;G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有低而稳定耦合场的自旋阀的制作方法包括氧暴露步骤。使用离子束溅射方法沉积第一铁磁层。其第一表面暴露到氧分压大约为5×10－6Torr中。氧被物理吸附到第一表面。在间隔层沉积之前,氧分压迅速减小。间隔层具有第二表面,用氧对其处理。在第二铁磁层沉积之前,氧分压迅速减小。氧的表面吸附限制了层间的混合并减小了表面粗糙度,导致减小了自旋阀的耦合场。耦合场在强烘烤退火中是稳定的。磁阻率也显著增强。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自旋阀，包括：a)具有第一表面的第一铁磁层；b)第二铁磁层；以及c)置于第一和第二铁磁层之间的间隔层，该间隔层具有第二表面其中第一和第二表面的至少一个被用氧处理。
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