[发明专利]用选择性外延淀积制造应变硅CMOS结构的方法有效
| 申请号： | 01123081.9 | 申请日： | 2001-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1162903C | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | K·里姆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/20;H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁;陈景峻 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制作了一种应变硅CMOS结构，其制作步骤包括：在衬底表面上制作SiGe弛豫层；在所述SiGe弛豫层中制作隔离区和阱注入区；以及在所述SiGe弛豫层上制作应变硅层。这些工艺步骤可以结合常规的栅工艺步骤用在应变MOSFET结构的制作过程中。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 外延 制造 应变 cmos 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造其中制作有应变硅层的CMOS结构的方法，所述方法包含下列步骤：(a)在衬底表面上制作SiGe弛豫层；(b)在所述SiGe弛豫层中制作隔离区和阱注入区；以及(c)在所述SiGe弛豫层上制作应变硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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