[发明专利]电子元件的制造方法有效
申请号: | 01122663.3 | 申请日: | 2001-06-27 |
公开(公告)号: | CN1161833C | 公开(公告)日: | 2004-08-11 |
发明(设计)人: | 细川哲夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L41/053;H03H3/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 孙敬国 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明揭示一种在施加了焊接保护膜层的部分进行空洞加工并形成外装树脂层的电子元件的制造方法,在滤波器单元(1)上形成焊接保护膜涂料层(9a、9b、9c),在该涂料层上涂布相对于焊接保护膜涂料的相对湿润性比空洞形成用蜡高的在外装树脂的热硬化时被外装树脂层吸收的焊剂(10、11),在空洞形成区域上涂布空洞形成用蜡(12),然后涂布外装树脂(A),并利用加热使其硬化。相对于所述焊接保护膜的相对湿润性比空洞形成材料高,并且在外装树脂热硬化时被吸收的材料是含有非离子性的卤族元素活性剂的焊剂。本发明的制造方法使空洞内难以产生空洞形成用蜡的残留。 | ||
搜索关键词: | 电子元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电子元件的制造方法,所述电子元件包括空洞的外装树脂层,所述空洞是在加热硬化时通过吸收空洞形成材料而形成的,其特征在于,所述制造方法包括下述工序:准备电子元件单元的工序、在所述电子元件单元的外周面的至少一部分上形成焊接保护膜层的工序、在所述焊接保护膜层上,至少在形成所述空洞的区域上,施加相对于焊接保护膜的相对湿润性比空洞形成材料高的材料的工序,所述材料在外装树脂热硬化时被外装树脂层吸收、在形成所述空洞的区域上施加在外装树脂热硬化时被吸收的空洞形成材料的工序、和在施加所述空洞形成材料后,涂布外装树脂,以便覆盖电子元件单元的外表面,并利用加热进行硬化的工序,相对于所述焊接保护膜的相对湿润性比空洞形成材料高,并且在外装树脂热硬化时被吸收的材料是含有非离子性的卤族元素活性剂的焊剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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