[发明专利]半导体器件及其制造方法、层叠型半导体器件和电路基板

摘要

半导体器件的制造方法包括在第1个面有多个电极2的半导体元件6上形成通孔4的第1工序,以及为了与电极2进行电连接、从通孔4内壁表面到第1个面及与第1个面相向的第2个面上形成导电层8的第2工序,在第2工序中,在第1个面和第2个面配备连接区14,并且在多个电极2之中,至少两个电极2的间距与第1个面及第2个面之中至少任何一个面处的连接区14的间距不同,以此形成上述导电层8。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括：在第1个面上有多个电极的半导体元件上形成通孔的第1工序；以及形成与上述电极进行电连接、从上述通孔内壁表面达到上述第1个面上以及与上述第1个面相向的第2个面上的导电层的第2工序，在上述第2工序中，在上述第1个面及上述第2个面配备连接区，并且在多个上述电极之中至少两个上述电极的间距与上述第1个面及上述第2个面之中至少任何一个面处的上述连接区的间距不同，以此形成上述导电层。