[发明专利]补偿寄生电流损耗的方法和装置有效
| 申请号： | 01122143.7 | 申请日： | 2001-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN1145166C | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | P·佩赫米勒 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C8/00;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在MRAM存储单元区内补偿寄生电流损耗的方法和装置，其中可以如此来限定输入到单个字线(WL)和位线(BL)内的电流大小，使得在所述字线和位线的各交叉点上的电流强度总和为恒量。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 寄生 电流 损耗 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在存储单元区内补偿寄生电流损耗的方法，所述的存储单元区由字线(WL)、与字线(WL)交叉的位线(BL)、以及设于所述字线(WL)和位线(BL)之间交叉点上的存储单元(R)构成，所述存储单元流经有导致电流损耗的寄生电流，其特征在于：利用所述存储单元区内所设的字线和位线驱动器(WT1～WT3，BT1～BT4)如此来分别限定馈入单个字线和位线(WL，BL)内的电流大小，使得在所述存储单元区的交叉点上，流经每个单个交叉点所属的字线和位线的电流总和(I1，I2)为一个恒量。
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