[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 01119009.4 | 申请日： | 2001-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1324111A | 公开（公告）日： | 2001-11-28 |
| 发明（设计）人： | 田中雅浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为实现接触电阻的降低和载流子注入效率的降低,在n型半导体衬底1内形成杂质浓度低且其深度在1.0微米以下的p型杂质层2,降低载流子注入效率。在p型杂质层2内形成用来降低接触电阻的高浓度p型接触层4。其深度在0.2微米以下,足够地浅,故不会对载流子注入效率产生影响。此外,在p型接触层4与电极3之间形成一直达到p型接触层4的浓度分布的峰值位置的硅化物层5。借助于该硅化物层5来实现进一步的接触电阻的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1．半导体器件，其特征是具备：第1导电类型的半导体衬底；在上述半导体衬底的一面一侧形成、且具有从半导体衬底的表面算起1.0微米以下的厚度的第2导电类型的杂质层；在上述杂质层内形成、且具有从上述半导体衬底的表面算起0.2微米以下的厚度，比上述杂质层的厚度还薄、杂质浓度比上述杂质层的杂质浓度还浓的第2导电类型的接触层；在上述接触层上边形成的第1电极。
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