[发明专利]集成电路用电容元件的制造方法无效
| 申请号： | 01117608.3 | 申请日： | 1995-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1345088A | 公开（公告）日： | 2002-04-17 |
| 发明（设计）人： | 上本康裕;藤井英治;有田浩二;长野能久;嶋田恭博;吾妻正道;井上敦雄;井筒康文 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/283;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括在基片上形成钛膜的粘接层,在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层,以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 用电 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路用电容元件的制造方法，其特征在于，它包括：在基片上形成钛或钽粘接层的工序；在所述钛或钽上形成由所述金属和非金属元素的化合物组成的化合物膜扩散阻挡层的工序，该工序包括利用在所述非金属元素的气体中用灯照射所述钛或钽的表面，将所述钛或钽的表面区域变换成所述化合物的过程；在所述化合物膜扩散阻挡层上形成钛或钽下电极的工序；在所述钛或钽上形成由金属氧化物组成的介质膜的工序；在所述介质膜上形成导电性钛或钽上电极的工序；有选择地蚀刻所述导电性钛或钽上电极和介质膜的工序；有选择地蚀刻所述钛或钽下电极的工序和有选择地蚀刻所述化合物膜扩散阻挡层和所述钛或钽粘接层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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