[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 01117043.3 | 申请日： | 2001-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1320969A | 公开（公告）日： | 2001-11-07 |
| 发明（设计）人： | 菊地修一;西部荣次 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的宗旨在于在确保期望的耐压的情况下实现低导通电阻化。半导体器件配有在半导体衬底1上通过栅绝缘膜8形成的栅电极10;形成得与该栅电极10邻接的LP层5(P型本体区);形成在该LP层5内的N型源区12以及沟道区11;在与所述LP层分隔的位置上形成的N型漏区13;形成得包围着该漏区13的LN层4(漂移区),其特征在于,在所述栅电极10之下形成与所述LP层5连接的P型层9。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件，配有：在半导体衬底上通过栅绝缘膜形成的栅电极；形成得与该栅电极邻接的第一导电型本体区；形成在该第一导电型本体区内的第二导电型的源区以及沟道区；在与所述第一导电型本体区分隔的位置上形成的第二导电型的漏区；形成得包围着该漏区的第二导电型的漂移区，其特征在于，在所述栅电极之下形成与所述第一导电型本体区连接的第一导电型的杂质层。
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