[发明专利]读出和储存存储单元中铁电晶体管状态的方法和存储矩阵无效
| 申请号： | 01116227.9 | 申请日： | 2001-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1156852C | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | H·巴奇霍弗;T·P·汉德;M·厄尔曼恩;G·布朗;W·霍恩莱恩 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 读出或储存存储单元中的铁电晶体管的状态，存储矩阵中另一些存储单元中的另一些铁电晶体管的阈值电压在读出或存储期间增大或永久性增大。 | ||
| 搜索关键词： | 读出 储存 存储 单元 电晶体 状态 方法 矩阵 | ||
【主权项】：
1.一种读出和储存排列在存储矩阵中的存储单元内的铁电晶体管状态的方法，所述存储矩阵有多个带铁电晶体管的存储单元，其中，状态从铁电晶体管中读出或者储存在铁电晶体管中，以及其中，存储矩阵中另一个铁电晶体管的阈值电压通过向存储矩阵中的该另一个铁电晶体管施加漏衬底电压使之增大。
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