[发明专利]闪存中浮置栅极的制造方法

摘要

一种闪存中浮置栅极的制作方法,提供一基底,在基底上形成闸氧化层、多晶硅层与氮化硅层,接着定义出栅极的位置,并将栅极上方的氮化硅层移除,之后将暴露出的多晶硅层氧化以形成浮置闸氧化层,接着形成缓冲层覆盖于氮化硅层与浮置闸氧化层上,再形成第一间隙壁于缓冲层的侧壁,之后再形成第二间隙壁,并以第二间隙壁为罩幕将未受第二间隙壁覆盖的浮置闸氧化层移除,接着再将多晶硅层与浮置闸氧化层上方的缓冲层、第一间隙壁与第二间隙壁剥除,最后将未受浮置闸氧化层覆盖的多晶硅层移除,即完成浮置栅极的制作。

主权项

1、一种闪存中浮置栅极的制作方法，其特征在于：其至少包括：提供一基底，基底上具有一主动区域与一隔离区域；形成一穿隧氧化层、一多晶硅层及一氮化硅层于基底上；定义一开口位置，将开口位置上的氮化硅层移除，并将暴露的多晶硅层氧化，以形成一浮置闸氧化层；于基底上形成一缓冲层；于缓冲层的侧壁形成第一间隙壁，并将未受第一间隙壁的缓冲层移除；将主动区域上方以外的第一间隙壁、缓冲层与氮化硅层移除；形成第二间隙壁于第一间隙壁、缓冲层与氮化硅层的侧壁；将未受第二间隙壁覆盖的浮置栅极氧化层移除；将第二间隙壁与缓冲层移除；以及将未受浮置栅极氧化层覆盖的多晶硅层移除，以形成一浮置栅极。