[发明专利]3轴磁传感器、全方位磁传感器及使用它们的方位测定方法有效

专利信息
申请号: 01102972.2 申请日: 2001-02-07
公开(公告)号: CN1349109A 公开(公告)日: 2002-05-15
发明(设计)人: 田村泰弘 申请(专利权)人: AP第一体系有限公司
主分类号: G01V3/40 分类号: G01V3/40;G01R33/02
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 黄依文
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种混合型磁传感器200,其包括以基片为本体形成的、检测与基片平行平面所规定磁场矢量的2轴分量的磁通门式传感器100,检测磁场矢量的与基片垂直方向分量的霍尔元件24,检测基片横摇角的倾斜传感器22及CPU20,构成为一体为混合型IC。测出的3维磁场矢量是考虑了基片的倾斜进行修正的,所以能算出地磁场的正确方位。装入手机,即使因使用者的姿势或携带方式变化使该地磁传感器发生倾斜时,也能正确测定方位。
搜索关键词: 传感器 全方位 使用 它们 方位 测定 方法
【主权项】:
1.一种3轴磁传感器,其特征在于,将2轴磁传感器与磁检测元件构成一体形成混合型IC,所述2轴磁传感器以基板为本体而形成,检测与所述基板平行的平面所规定的磁场矢量的2轴分量,所述磁检测元件检测所述磁场矢量的与所述平面垂直方向的分量。
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