[发明专利]3轴磁传感器、全方位磁传感器及使用它们的方位测定方法有效
申请号: | 01102972.2 | 申请日: | 2001-02-07 |
公开(公告)号: | CN1349109A | 公开(公告)日: | 2002-05-15 |
发明(设计)人: | 田村泰弘 | 申请(专利权)人: | AP第一体系有限公司 |
主分类号: | G01V3/40 | 分类号: | G01V3/40;G01R33/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 黄依文 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 全方位 使用 它们 方位 测定 方法 | ||
1.一种3轴磁传感器,其特征在于,
将2轴磁传感器与磁检测元件构成一体形成混合型IC,
所述2轴磁传感器以基板为本体而形成,检测与所述基板平行的平面所规定的磁场矢量的2轴分量,
所述磁检测元件检测所述磁场矢量的与所述平面垂直方向的分量。
2.根据权利要求1所述的3轴磁传感器,其特征在于,所述2轴磁传感器是将检测磁场矢量的2轴分量用的线圈图形在整个层叠基片形成。
3.根据权利要求1或2所述的3轴磁传感器,其特征在于,所述基片具有传递从所述磁检测元件输出的检测信号用的图形,在所述磁检测元件安装到所述基片上时,所述检测信号通过所述图形直接引入到所述基片上。
4.根据权利要求3所述的3轴磁传感器,其特征在于,还含有处理所述2轴磁传感器和所述磁检测元件的输出信号的信号处理部分,所述信号处理部分计算测出的磁性强度,对所述2轴磁传感器测出的磁场矢量的2轴分量进行修正。
5.一种全方位磁传感器,其特征在于,将形成在基片上的检测3维磁场矢量的3轴磁传感器与检测所述基片倾斜角的倾斜传感器构成为一体形成混合型IC。
6.根据权利要求5所述的全方位磁传感器,其特征在于,所述基片具有传递从所述倾斜传感器输出的检测信号用的图形,当所述倾斜传感器已安装在所述基片上时,所述检测信号通过所述图形直接引入所述基片。
7.根据权利要求5所述的全方位磁传感器,其特征在于,它还包括以从所述基片向外延伸的形式装在该基片上的薄膜基片,所述倾斜传感器安装在所述薄膜基片之上,所述薄膜基片向所述基片侧弯折,并对整体加以粘接固定而形成。
8.根据权利要求5至7中的任一项所述的全方位磁传感器,其特征在于,所述3轴磁传感器包括:以所述基片为本体形成的、检测与所述基片平行平面所规定的磁场矢量2轴分量的2轴磁传感器,
以及检测所述磁场矢量的与所述平面的垂直方向分量的磁检测元件。
9.根据权利要求5至8中的任一项所述的全方位磁传感器,其特征在于,所述倾斜传感器检测与所述基片平行平面所规定的X轴方向横摇角和Y轴方向横摇角。
10.根据权利要求5至8中的任一项所述的全方位磁传感器,其特征在于,所述倾斜传感器检测3轴方向的倾斜引起的位移。
11.根据权利要求5至9中的任一项所述的全方位磁传感器,其特征在于,还含有处理所述3轴磁传感器和所述倾斜传感器的输出信号的信号处理部分,所述信号处理部分根据所述3轴磁传感器测出的3维磁场矢量和所述倾斜传感器测出的倾斜角算出水平磁场分量。
12.根据权利要求10所述的全方位磁传感器,其特征在于,还含有处理所述3轴磁传感器和所述倾斜传感器的输出信号的信号处理部分,所述信号处理部分根据所述倾斜传感器测出的3轴方向倾斜引起的位移修正所述横摇角,并根据所述3轴磁传感器测出的3维磁场矢量和修正后的所述倾斜角来算出水平磁场分量。
13.根据权利要求11或12所述的全方位磁传感器,其特征在于,所述信号处理部分根据从所述3维磁场矢量算出的磁性强度,修正所述水平磁场分量。
14.一种方位测定方法,其特征在于,包括:
接收3维磁场矢量的检测信号的过程;
接收规定所述磁场矢量的3维坐标与地平面所夹倾斜角的检测信号的过程;
使用根据所述3维磁场矢量算出的磁场强度来修正3维磁场矢量的检测信号的过程;
根据所述倾斜角对修正后的所述3维磁场矢量进行坐标变换并计算水平磁场分量的过程。
15.根据权利要求14所述的方位测定方法,其特征在于,在接收所述倾斜角的检测信号的过程中,检测重力的3轴分量来修正所述倾斜角的检测信号。
16.根据权利要求14或15所述的方位测定方法,其特征在于,还包括根据所述水平磁场分量计算方位角的过程。
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