[发明专利]磁性记录介质有效
| 申请号： | 01101686.8 | 申请日： | 2001-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1308318A | 公开（公告）日： | 2001-08-15 |
| 发明（设计）人： | 末冈雅则;佃明光;伊藤伸明 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/62 | 分类号： | G11B5/62;G11B5/73;C08J5/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁记录介质,以芳族聚酰胺为主成分的基膜的至少一面上直接设置的磁性层表面10nm以上的突起数Na(10)(个/mm2)、50nm以上的突起数Na(50)(个/mm2)及基膜磁性层设置侧的同一面上10nm以上突起数Na(10)’(个/mm2)满足2×104≤Na(10)≤2×107、0≤Na(50)≤5×104、－0.9≤(Na(10)－Na(10)’)/Na(10)’≤0。高刚性芳族聚酰胺膜为非磁性支持体,磁性层表面和基膜表面特性为特定、总厚薄且高记录容量、走带耐久性好、记录、读出可信度高,可计算机数据记录用。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种磁性记录介质，该磁性记录介质是在以芳香族聚酰胺作为主成分的基膜的至少一个面上直接设置磁性层的磁性记录介质，其特征在于，磁性层表面上的高度10nm以上的突起个数Na(10)(个/mm2)、高度50nm以上的突起个数Na(50)(个/mm2)及基膜的磁性层设置侧的同一表面上的高度10nm以上的突起个数Na(10)’(个/mm2)同时满足下式，2×104≤Na(10)≤2×1070≤Na(50)≤5×104-0.9≤(Na(10)-Na(10)’)/Na(10)’≤0。
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- 及川壮一;岩崎刚之;酒井浩志;坂脇彰;清水谦治 - 株式会社东芝;昭和电工株式会社
- 2004-03-31 - 2004-10-20 -
- 公开了一种垂直磁记录介质(10)，包括非磁性基板(1)、包括具有39.5kA/m或更小的垂直矫顽力的铁磁底层(2)和具有50到150emu/cc的饱和磁化Ms的弱磁性底层(3)的多层底层(4)以及垂直磁记录层(5)。
- 专利分类
