[发明专利]硅双极晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 00816239.5 | 申请日： | 2000-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1399793A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | T·约翰松;H·诺尔斯特伦 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,李亚非 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种在硅双极晶体管制造中用来制作基极区和用来开发射极窗口的方法，它包含下列步骤提供具有器件隔离(3)的硅衬底(1)；在所述衬底中或其顶部制作第一基极区(5)；在所述第一基极区上制作薄的氧化物层(7)；在所述薄的氧化物层顶部制作硅层(9)，所述硅层将作为第二基极区；对所述硅层进行离子注入；在所述硅层顶部制作电介质层(11)，所述电介质用来隔离所述晶体管的基极区和发射极区；对这样得到的结构进行图形化，以便确定发射极窗口(15)；对所述确定的发射极窗口区域内的结构进行蚀刻，穿过电介质层和硅层，其中薄的氧化物层被用作蚀刻停止层，从而形成发射极窗口；以及随后对结构进行热处理，使氧化物破裂，致使第一和第二基极区彼此接触。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在硅双极晶体管制造中用来制作基极区和用来开发射极窗口的方法，其特征是下列步骤：-提供具有器件隔离(3)的硅衬底(1)；-在所述衬底中或其顶部制作第一基极区(5)；-在所述第一基极区上制作薄的氧化物层(7)；-在所述薄的氧化物层的顶部制作硅层(9)，所述硅层将作为第二基极区；-在所述硅层顶部制作电介质层(11)，所述电介质用来隔离所述晶体管的基极区和发射极区；-对这样得到的结构进行图形化，以便确定发射极窗口(15)；-对所述确定的发射极窗口区域内的结构进行蚀刻，穿过电介质层和硅层，其中薄的氧化物层被用作蚀刻停止层，从而形成发射极窗口；以及-随后对结构进行热处理，使氧化物破裂，致使第一和第二基极区彼此接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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