[发明专利]具有激子阻挡层的有机光敏光电器件有效
| 申请号： | 00816200.X | 申请日： | 2000-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1399797A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·R·福里斯特;维兰迪米尔·布洛维克;彼得·佩曼斯 | 申请（专利权）人： | 普林斯顿大学理事会 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了包含激子阻挡层以提高器件效率的有机光敏光电器件(“OPOD”)。公开了单异质结型、堆叠型和波导型实施方案。公开了具有多层结构和激子阻挡层的光电探测器OPOD。提供了选择激子阻挡层的指导原则。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 激子 阻挡 有机 光敏 光电 器件 | ||
【主权项】：
1.一种有机光敏光电器件，包含：两个重叠关系的电极；在两个电极之间的空穴输运层，空穴输运层由第一光电导有机半导体材料构成；在两个电极之间、与空穴输运层相邻的电子输运层，电子输运层由第二光电导有机半导体材料构成；以及在两个电极之间的至少一层激子阻挡层，它至少与电极之一相邻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
