[发明专利]包含用于控制角落变圆的图形的掩模制作方法

摘要

提供一种用来确定掩模结构中产生的角落变圆程度的方法。此方法包括提供一个未被图形化的掩模结构,此结构具有透明衬底、衬底上的不透明层、以及不透明层上的光抗蚀剂。角落变圆测试图形被腐蚀进入光抗蚀剂中。此图形将下方部分不透明层暴露出来。此图形的形状是由光抗蚀剂组成的成对的垂直相交线。使不透明层的暴露部分与腐蚀剂接触,以便清除不透明层的被暴露部分,从而暴露下方的部分衬底。在一个实施方案中,此腐蚀剂是一种湿法腐蚀剂并使光抗蚀剂侧凹,从而清除排列在不透明层暴露部分附近的不透明层的未被暴露部分。清除光抗蚀剂,以产生掩模结构。在掩模结构的不透明层中产生缺陷,这种缺陷是由于变圆的角落而不是正方形角落而产生的。这种缺陷形成在成对的由光抗蚀剂组成的垂直相交线交叉区域处的不透明层中。对这种缺陷进行测量,以提供角落变圆程度的表述。用这种方法,能够使用诸如线宽测量设备或缺陷探测设备之类的标准测量设备,来确定半导体结构中产生的与测试图形同时形成的角落变圆的程度。

主权项

1.一种用来确定掩模结构中产生的角落变圆程度的方法，它包含：提供一个未被图形化的掩模结构，此结构具有透明衬底、衬底上的不透明层、以及不透明层上的光抗蚀剂；将角落变圆测试图形腐蚀进入光抗蚀剂中，此图形将下方部分不透明层暴露出来，此图形的形状是由光抗蚀剂组成的成对的垂直相交线；使不透明层的暴露部分与腐蚀剂接触，以便清除不透明层的被暴露部分，从而暴露下方的部分衬底；清除光抗蚀剂，以产生掩模结构；对掩模结构的不透明层中产生的缺陷进行测量，这种缺陷是由于变圆的角落而不是正方形的角落产生的，这种缺陷形成在成对的由光抗蚀剂组成的垂直相交线的相交区域中。