[发明专利]CMOS处理过程

摘要

一种在低压CMOS处理过程中不用额外的处理步骤即可产生高压CMOS晶体管的方法。该高压MOS晶体管意于用作模拟线驱动器并在用作低压AD/DA转换器的同一硅区上产生。这样,低压块和高压块就可直接彼此兼容,例如具有相同的阈值电压,这种方法也使总方案的设计得以简化。

主权项

1.一种在CMOS处理过程中在一衬底上与低电压NMOS晶体管和低电压PMOS晶体管一起产生高电压MOS晶体管的方法，包括：在衬底上产生一掩膜，以其开口确定用于高电压MOS晶体管和低电压PMOS晶体管的n阱区在衬底中的所在位置；通过所述掩膜开口对衬底掺杂，以在同一处理步骤中产生高电压MOS晶体管和低电压PMOS晶体管二者的n阱区；去除该掩膜；在该基片上沉积一个保护膜；对高电压MOS晶体管以及低电压NMOS和PMOS晶体管二者的源极、栅极和漏极区所在处以外的地方去掉该保护膜；使该衬底暴露于氧化性气体中，以在未被保护膜复盖的区域上产生氧化物；去掉保护膜的其余部分；通过在衬底上产生薄的栅极氧化物以及在其上沉积多晶硅层和使该多晶硅层形成图案，来为高电压MOS晶体管以及低电压NMOS和PMOS晶体管二者确定栅极区，在同一处理步骤中，确定低电压NMOS晶体管和高电压MOS晶体管二者的漏极区和源极区所对应的n+区。