[发明专利]在栅极蚀刻处理后用湿式化学方法去除氧氮化硅材料无效
| 申请号： | 00805123.2 | 申请日： | 2000-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1433568A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | E·耶 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,梁永 |
| 地址： | 荷兰艾恩*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种用于形成晶体管栅极结构(41，42)的方法。形成栅极氧化物层。在栅极氧化物层(41)上淀积栅极材料(42)。在栅极材料(42)上淀积氧氮化硅层(43)。蚀刻氧氮化硅层(43)、栅极材料(42)以及栅极氧化物层(41)以形成栅极结构(41，42)。在栅极结构(41，42)的顶部留有氧氮化硅区(43)。进行湿式化学处理以从栅极结构(41，42)的顶部去掉氧氮化硅区(43)。在完成湿式化学处理之后，在栅极结构(41，42)周围形成隔离物(61，62)。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 蚀刻 处理 后用湿式 化学 方法 去除 氮化 材料 | ||
【主权项】：
1.一种形成晶体管栅极结构(41，42)的方法，它包括以下步骤：(a)形成栅极氧化物层(41)；(b)在所述栅极氧化物层(41)上淀积栅极材料(42)；(c)在所述栅极材料(42)上淀积氧氮化硅层(43)；(d)蚀刻所述氧氮化硅层(43)、所述栅极材料(42)以及所述栅极氧化物层(41)以形成栅极结构(41，42)，在所述栅极结构(41，42)的顶部留有氧氮化硅区(43)；(e)进行湿式化学处理以从所述栅极结构(41，42)的顶部去掉所述氧氮化硅区(43)；以及(f)在进行所述湿式化学处理之后，在所述栅极结构(41，42)周围形成隔离物(61，62)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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