[发明专利]2－羟基萘－3－羧酸的结晶及其制造方法无效
| 申请号： | 00801343.8 | 申请日： | 2000-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN1316985A | 公开（公告）日： | 2001-10-10 |
| 发明（设计）人： | 上野隆三;北山雅也;泉地信孝;加藤博行 | 申请（专利权）人： | 株式会社上野制药应用研究所 |
| 主分类号： | C07C65/11 | 分类号： | C07C65/11;C07C51/43 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曹雯,杨丽琴 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了2－羟基萘－3－羧酸(BON)的结晶，其特征在于，平均粒径157μm以上，74μm以下的粒子的比例是14%以下。本发明的结晶可以采用包含有BON的重结晶工序、特别是在高温下的重结晶工序以及在高温下进行BON制造工艺过程中的酸析的工序中的任一工序的方法制造。 | ||
| 搜索关键词： | 羟基 羧酸 结晶 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．2-羟基萘-3-羧酸的结晶，其特征在于，平均粒径157μm以上，74μm以下的粒子的比例是14％以下。
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