[发明专利]硅氧化膜的形成方法无效
| 申请号： | 00800470.6 | 申请日： | 2000-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1297578A | 公开（公告）日： | 2001-05-30 |
| 发明（设计）人： | 松木安生 | 申请（专利权）人： | 捷时雅株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/312 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供用于大规模集成电路、薄膜晶体管、光电转换装置和感光体等中的电绝缘膜、介电膜或保护膜的硅氧化膜的形成方法。形成由以式SinRm(其中n表示3以上的整数,m表示从n至2n+2的整数且这些多个R表示彼此独立的氢原子或烷基)表示的聚硅烷化合物构成的涂膜,接着把此涂膜氧化而形成硅氧化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 形成 方法 | ||
【主权项】：
1．一种硅氧化膜的形成方法，其特征在于(1)形成由以式SinRm(其中n表示3以上的整数，m表示从n至2n+2的整数且这些多个R表示彼此独立的氢原子或烷基)表示的聚硅烷化合物构成的涂膜，接着(2)使用从氧和臭氧所构成的一组中选出的至少一种氧化剂氧化所述涂膜，变换成硅氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
