[实用新型]纳米硅肖特基二极管无效
| 申请号： | 00258256.2 | 申请日： | 2000-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN2443492Y | 公开（公告）日： | 2001-08-15 |
| 发明（设计）人： | 何宇亮;刘明 | 申请（专利权）人： | 何宇亮;李爱刚 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所 | 代理人： | 张德胜 |
| 地址： | 214031 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种纳米硅肖特基二极管,它是以低电阻率单晶硅为基片,在其上沉积一层掺杂纳米硅薄膜,在纳米硅薄膜上有多层金属膜。本实用新型的产品温度稳定性好,可在～250℃高温下正常使用;在击穿之前,反向漏电流仅为纳安(nA)量级并具有极低的噪音系数;开关时间τr≤2.0ns。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 硅肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1、一种纳米硅肖特基二极管，其特征在于以低电阻率单晶硅为基片，在其上沉积一层掺杂纳米硅薄膜，在纳米硅薄膜上有多层金属膜。
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