[实用新型]纳米硅肖特基二极管无效
| 申请号： | 00258256.2 | 申请日： | 2000-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN2443492Y | 公开（公告）日： | 2001-08-15 |
| 发明（设计）人： | 何宇亮;刘明 | 申请（专利权）人： | 何宇亮;李爱刚 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所 | 代理人： | 张德胜 |
| 地址： | 214031 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 硅肖特基 二极管 | ||
【说明书】：
本实用新型是关于一种纳米硅二极管，更特别的是关于一种纳米硅肖特基二极管(Nano-silicon films Schottky diode)。
肖特基二极管(Schottky diode)是利用金属和半导体在其交界表面形成的表面势垒并利用其特性制成的二极管。它的器件结构和整流特性完全不同于通常的P-N结二极管。当肖特基二极管处于正向导通时，电子从n型半导体一边流向金属，这时电子是多数载流子。当它注入金属层后不存在所谓少数载流子积累问题(象通常P-N结中那样)，不会发生在接触势垒两边电荷的存贮，从而使它的开关时间远比一般二极管为快。所以它在超高速器件，微波电路及高速集成电路中有广泛用途。如济南吉福半导体有限公司生产的肖特基二极管(使用C-Si材料)占国内同类产品的80％，供不应求，年创汇600万美元。然而，据我们了解他们的肖特基二极管产品电参数在几个方面抵不上我们所设计的纳米硅肖特基二极管。
表1 济南吉福半导体有限公司生产的肖特基二极管电参数
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