[发明专利]具有集成的半导体器件的MRAM无效
| 申请号： | 00135254.7 | 申请日： | 2000-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1300077A | 公开（公告）日： | 2001-06-20 |
| 发明（设计）人： | 赛德·特兰尼;晶·史 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁存储单元(10)具有位于第一铁磁层(11)与第二铁磁层(13)之间的半导体层(12),形成p－n结或肖特基结。抗磁性层(34)位于第二铁磁层与数字线(35)之间,用于牵制第二铁磁层内的磁矢量。在第二个实施例中,栅接点(37)隔开半导体材料层,用于控制通过半导体层的电子流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 半导体器件 mram | ||
【主权项】：
1．一种磁存储单元(30)，其特征在于：第一铁磁层(11)；第二铁磁层(13)；位于第一与第二铁磁层之间的半导体层(12)。
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