[发明专利]具有集成的半导体器件的MRAM无效
| 申请号： | 00135254.7 | 申请日： | 2000-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1300077A | 公开（公告）日： | 2001-06-20 |
| 发明（设计）人： | 赛德·特兰尼;晶·史 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 集成 半导体器件 mram | ||
1．一种磁存储单元(30)，其特征在于：
第一铁磁层(11)；
第二铁磁层(13)；
位于第一与第二铁磁层之间的半导体层(12)。
2．根据权利要求1的磁存储单元，其中，半导体层与第一与第二铁磁层中的至少一个形成p-n结。
3．根据权利要求1的磁存储单元，其中，半导体层与第一与第二铁磁层中的至少一个形成肖特基结。
4．根据权利要求1的磁存储单元，其特征还在于：
数字线(35)电连接于第一铁磁层；以及
位线(36)电连接于第二铁磁层。
5．根据权利要求4的磁存储单元，其特征还在于位于第一铁磁层与数字线之间的磁性层(34)，用于牵制第一铁磁层内的磁矢量。
6．根据权利要求1的磁存储单元，其特征还在于一个隔开半导体材料层的栅接点(37)，用于控制通过半导体层的电子流。
7．根据权利要求6的磁存储单元，其特征还在于：
数字线(35)电连接于第一铁磁层；以及
位线(36)电连接于第二铁磁层。
8．根据权利要求7的磁存储单元，其特征还在于位于第一铁磁层与数字线之间的磁性层(34)，用于牵制第一铁磁层内的磁矢量。
9．一种磁存储器包括：
第一导电部分；
第一铁磁材料层(11)，与第一导电部分电接触；
第二铁磁材料层(13)；
半导体材料层(12)，位于第一与第二铁磁材料层之间；
第二导电部分，与第二铁磁材料层电接触，其中，第一铁磁材料层，半导体材料层，以及第二铁磁材料层形成一个磁存储单元，第一与第二导电部分形成传感线；以及
导电数字线(35)，位于靠近磁存储单元以便提供磁场，当数字线被激发时，至少部分地将第一与第二铁磁材料层中的一个之上的磁矢量从沿该层长度的第一个方向转换到沿该层长度的第二个基本相反的方向。
10．根据权利要求9的磁存储器，还包括隔开半导体材料层的栅区(37)，用于控制第一与第二铁磁材料层之间的以及通过半导体材料层的电子流。
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