[发明专利]电子束曝光方法

摘要

所公开的方法包括：在对图案曝光之前检测在晶片上的多个对齐标志A至D，以获得一个校正因子，并根据该因子执行对齐；开始图案曝光，以在曝光过程中的预定时间再次检测在对齐标志A’；获得如此检测的位置和在曝光之前检测位置(坐标)之间的位置差，以把其提供作为电子束位置漂移量；以及把该电子束位置漂移量叠加到电子束的偏转量上，以校正电子束曝光位置。

主权项

1.一种电子束曝光方法，其用形成在半导体晶片上的芯片上的多个对齐标记对半导体晶片进行曝光，通过根据所需布线图案使用电子束执行偏转扫描，其中包括如下步骤：在开始曝光之前，检测所述多个对齐标记的位置，以校正芯片阵列中的误差；在所述曝光开始之后的预定时间，检测从所述多个对齐标记选择的特定对齐标记的位置；根据在所述预定时间检测的所述特定对齐标记的所述位置与在所述曝光开始之前所述特定对齐标记的位置之间的位置差，计算电子束位置飘移量；把该电子束位置飘移量叠加到电子束飘移量上，以校正曝光位置，用于随后执行所述半导体晶片的曝光；以及在预定时间，在对所述半导体晶片的所述曝光位置进行校正的基础上，重复多次执行所述半导体晶片的曝光，直到所述半导体晶片的所述曝光完成。