[发明专利]形成多重内连线与内金属介电质的连接构造的改良方法

摘要

一种多重内连线与低K值内金属介电质的装构键结的改良方法。此方法的特徵系于一内连线层上的每一对内连线间形成一渠沟，然后以一氧化介电质填充此一渠沟，以取代未形成渠沟之前，填充于此区域的K值小于3的低K值内金属介电质。此氧化介电质的K值大于此低K值内金属介电质的K值，此氧化介电质有足够的硬度可以承受装构键结下压的力量。因此，可提高多重内连线与低K值内金属介电质之间的结合强度。

主权项

1.一种形成多重内连线与介电常数小于3的内金属介电质之间的连接构造的改良方法，该方法至少包括：提供一半导体基底，该基底具有一层状构造，该层状构造具有一顶部内连线层、一底部内连线层及介于该两内连线层间的多层相互交替的内连线层及介电层接触窗层，每一该介电层接触窗层系与一相邻的上端该内连线层及一相邻的下端该内连线层对齐，其中一介电常数小于3的介电质系填充在该层状构造中，做为内金属介电质；图案蚀刻该层状构造，以形成一渠沟在一该内连线层上每一对相邻的内连线之间；形成一第一氧化物层在该层状构造上，以填满在其内的该渠沟；平坦化该第一氧化物层；形成一第二氧化物层在该第一氧化物层上；图案蚀刻该第二氧化物层，以形成多个开口，每一所述开口系与一该顶部内连线对齐；形成一导电层于该第二氧化物层上，填满该多个开口，以形成多个插塞；及图案蚀刻该导电层，形成一导电垫层横跨在每一对所述插塞上方。