[发明专利]电子束曝光方法无效
| 申请号： | 00130141.1 | 申请日： | 2000-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1142579C | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 山下浩 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/30;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种电子束曝光方法，在所述的方法中，使用具有散射区的掩膜，并设置限制孔，以控制由所述掩膜散射通过的散射电子数量，根据通过掩膜的电子束内的电子散射角度的差别形成散射的反差，进行图案曝光；根据图案密度，通过改变掩膜散射区域的厚度，控制散射电子的散射角度，并调整通过限制孔的散射电子数量，利用通过所述限制孔的散射电子修正曝光，在图案曝光的同时执行邻近效应修正；还公开了用于这种方法的掩膜和电子束曝光系统。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种限制散射角型电子束曝光方法，其中使用具有散射区域的掩膜，并设置一个包括中心开口和围绕所述中心开口的闭合带状开口的限制孔，以控制由所述掩膜散射通过的散射电子的数量，根据在通过所述掩膜的电子束内的电子散射角度的差别形成散射反差，藉此执行图案曝光；其中通过根据图案密度改变掩膜散射区的厚度，控制散射电子的散射角度，并调整通过限制孔的散射电子数量，使用通过所述限制孔之后的散射电子用于修正曝光，在图案曝光的同时执行邻近效应修正。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
