[发明专利]无光栅耦合的n型GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面器件

摘要

本发明公开了一种无光栅耦合的n型GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面探测器。该探测器是在GaAs衬底上通过分子束外延依次形成下电极层、多量子阱和上电极层。上电极层为平面形,然后在其上蒸镀一定厚度的金属层。在红外光的辐照下,它可以在量子阱区域形成与典型的光栅耦合效率相似的横向传播光波。随着大规模及超大规模集平面器件的发展,上电极层上制备均匀的光栅变得越来越困难,而采用本发明的金属薄膜光电耦合设计将可完全克服这一工艺困难,对发展大规模焦平面器件是很有利的。

主权项

1．一种无光栅耦合的n型GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面器件，包括：在一GaAs衬底(1)上，通过分子束外延依次生长GaAs：Si下电极层(2)，交替生长几十个周期的AlGaAs势垒和GaAs：Si势阱形成一个多量子阱(3)，在多量子阱(3)上生长GaAs：Si上电极层(4)，其特征在于：上电极层为平面形，然后在其上蒸镀一层金属层(5)；所说的上电极层厚度应小于红外光在多量子阱中的波长；所说的金属层面积应近似等于上电极层的面积，但不能超出上电极层，厚度至少应200纳米。