[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法无效
| 申请号： | 00120336.3 | 申请日： | 2000-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1280308A | 公开（公告）日： | 2001-01-17 |
| 发明（设计）人： | 米仓広显;宇野光宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;G09G3/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 洪玲 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括薄膜晶体管阵列结合充电电容器的显示器件驱动电路及其制造方法,其中通过在地址线上淀积第一绝缘层继而半导体层在对薄膜晶体管寻址用的地址线上形成充电电容器。蚀刻半导体层形成用于在后续的蚀刻工艺期间保护绝缘层的完整性的保护岛。在半导体层上形成上部电极完成了充电电容器。对于驱动电路中的每个TFT,在后续制造步骤其间保护绝缘层导致基本上相均匀的充电电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种电子驱动电路，其特征在于包括：薄膜晶体管；电气连接到所述薄膜晶体管的象素电极；连到所述薄膜晶体管的扫描线；所述扫描线上的绝缘层；一部分绝缘层和扫描线上的半导体层；以及存储电容器，包括在所述半导体层上形成的电气连接到所述象素电极的上部电容器电极。
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