[发明专利]用于红外发光二极管的外延生长晶片和红外发光二极管

摘要

作为在p型GaAs单晶衬底上层积第一p型层、p型包覆层、p型有源层和n型包覆层后除去单晶的外延晶片，n型包覆层的载流子浓度为1×10¹⁷～1×10¹⁸cm^-3，硫浓度为3×10¹⁶原子/cm³以下，层厚度为20～50μm。此外，从p型包覆层和第一p型层的界面到p型包覆层侧2μm以内的区域中硅浓度的最大值不足1×10¹⁸原子/cm³，第一p型层中碳、硫和氧的浓度不足1×10¹⁷原子/cm³。于是，用获得的外延晶片制作的红外LED输出大，偏差小。

主权项

1.一种红外发光二极管用的外延晶片，在p型GaAs单晶衬底止用液相外延生长法顺序层积第一p型层Ga1-x1Alx1As、p型包覆层Ga1-x2Alx2As、发光波长在850～900nm范围内的p型有源层Ga1-x3Alx3As和n型包覆层Ga1-x4Alx4As后，除去该p型GaAs单晶衬底，其中，0.13≤X1≤0.40，0.23≤X2≤0.46，0≤X3≤0.03，0.13≤X4≤0.40，其特征在于，n型包覆层的载流子浓度在1×1017～1×1018cm-3范围内，并且硫浓度在3×1016原子/cm3以下。