[发明专利]一种用氧化锌作为高亮度发光二极管芯片窗口层的生长方法无效
| 申请号： | 00111112.4 | 申请日： | 2000-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1149685C | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 黄柏标;张兆春;于永芹;崔得良;秦晓燕;潘教青 | 申请（专利权）人： | 山东大学;山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/32 |
| 代理公司： | 济南三达专利事务所 | 代理人： | 刘旭东 |
| 地址： | 250100*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于光电子技术领域。本发明的主要内容利用金属有机化合物气相淀积法(MOCVD)外延生长二极管材料时，在上限制层生长结束后，继续用MOCVD外延生长工艺进行N型掺杂氧化锌薄膜的低温生长，取代磷化镓作为发光二极管窗口层，控制窗口层厚度为≤2μm。它解决了现有技术存在的工艺复杂，生长周期长，成本高的缺点。本发明具有生长工艺简单，生长周期短，成本低的优点。用氧化锌作为LED窗口层，可使窗口层在直流电流浸入时，具有更佳的电流扩展和透光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 作为 亮度 发光二极管 芯片 窗口 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用氧化锌作为高亮度发光二极管芯片窗口层的生长方法，其布拉格反射层、下限制层、有源层、上限制层均按已有工艺由计算机控制生长，其特征是在结束上限制层生长后，将样品放入ZnO专用MOCVD设备中，按以下步骤进行氧化锌窗口层的生长：(1)控制生长温度为350～370℃，反应源二乙基锌的流量为12～25ml/min，或二甲基锌流量为1～5ml/min，反应源四氢呋喃流量为100ml/min，N型掺杂源三甲基铝流量为3～5ml/min，将反应源二乙基锌或二甲基锌和四氢呋喃，以及掺杂源三甲基铝由放空线转入生长线生长40～60分钟N型掺杂ZnO材料作为窗口层，而后(2)将反应源二乙基锌或二甲基锌和四氢呋喃以及掺杂源三甲基铝由生长线转入放空线，同时将生长温度降至20℃，二乙基锌的流量降至2ml/min，或二甲基锌的流量调至0～1ml/min，反应源四氢呋喃流量降至50ml/min，N型掺杂源三甲基铝的流量降至0ml/min，至此，氧化锌窗口层生长结束，氧化锌窗口层的厚度≤2μm。
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