[发明专利]用于电子束曝光的掩模及制造方法和半导体器件制造方法

摘要

一种制造掩模的方法,其步骤为制造与被曝光的晶片材料相同的掩模材料,计算用于掩模写入的邻近效应校正剂量。然后,按具有掩模写入时邻近效应校正剂量两倍的校正剂量的图形,用与晶片写入时的加速电压相同的加速电压,对掩模材料的抗蚀剂膜曝光。接着,显影抗蚀剂膜,形成抗蚀剂膜图形,利用该抗蚀剂膜图形作为掩模腐蚀掩模材料,制备掩模。此后,利用该掩模,对晶片上的抗蚀剂膜进行EB曝光而不进行邻近效应校正。

主权项

1.一种用于电子束曝光的掩模，其中所述掩模由与将要曝光的晶片材料相同的材料制造，并具有写入图形，该图形具有掩模写入时邻近效应校正剂量两倍的校正剂量。