[发明专利]多晶粒模组器件无效
| 申请号： | 00105879.7 | 申请日： | 2000-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1318864A | 公开（公告）日： | 2001-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈庆丰 | 申请（专利权）人： | 北京普罗强生半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L25/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100029 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为多晶粒模组器件,是多个单元在绝缘基片上电连接的器件。其主要结构为在多晶粒模组中,该单元部分或全部接线采用接线柱,在绝缘基片端部部分表面形成导电层,并无需插座直接插入封装基片与封装基片的印刷电路板中,以焊锡粘接的结构。现有封装以单列直插封装为主,本发明可实现双列直插封装的优点。本发明为垂直装配,占用封装基片面积可减少到1/10以下,有利于封装基件小型化;从基本结构的简化,还可构造出多种结构和范围较广的应用线路。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 模组 器件 | ||
【主权项】：
1、本发明是提供一种多晶粒模组器件，是多个单元在绝缘基片上电联接的器件；其特征在于：其引脚采用国际标准并构筑在绝缘基片上的单元全部或部份电极形成引出接线柱，且为该绝缘基片和封装基片间的电联接在该绝缘基片端部单面或双面形成接脚金属层并结合上述引脚对端部加工，使其可直接用于封装基片的结构；
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京普罗强生半导体有限公司，未经北京普罗强生半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00105879.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：空调水系统变压差变流量控制方法及系统
- 下一篇：安全带卷绕器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
