[发明专利]阳极化设备,阳极化系统,及基体处理设备和方法无效
| 申请号： | 00104669.1 | 申请日： | 2000-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1269601A | 公开（公告）日： | 2000-10-11 |
| 发明（设计）人： | 松村聪;山方宪二 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C30B25/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明将降低阳极化反应产生的气体的影响。要处理的硅基体(101)被水平夹住。负电极(129)被布置在硅基体(101)的上方,并使正电极(114)与硅基体(101)的下表面接触。用HF溶液(132)充填负电极(129)和硅基体(101)之间的空间。负电极(129)具有许多排气孔(130),以防止阳极化反应产生的气体停留在负电极(129)的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 设备 系统 基体 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阳极化基体的阳极化设备，其特征在于包括：用于大体水平夹持要处理基体的夹持部分；布置在基体上方，面对该基体的负电极；布置在基体下方的正电极；用电解液充填基体和所述负电极之间空间的阳极化罐，其中所述负电极具有防止气体停留在下方的功能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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