[发明专利]覆晶件晶片的结合方法

摘要

一种覆晶件晶片的结合方法。为提供一种缩短晶片结合时间、提高生产效率及提高产品质量的半导体元件覆晶技术,提出本发明,它包括在晶圆上预设金属导体凸块,并切割形成晶片、在基板上形成与晶片上金属导体凸块相对应的金属焊料凸块;在基板上涂布封胶材料;将晶片翻转,使其上金属导体凸块面朝下,并对正基板上形成的金属焊料凸块;以晶片上的金属导体凸块与基板上金属焊料凸块接触,并施以压合加热。

主权项

1、一种覆晶件晶片的结合方法，它包括如下步骤：第一步骤在从晶圆厂生产制造完成的晶圆上预先设置金属导体凸块，并切割成适当大小形成晶片；第二步骤在基板上涂布封胶材料；第三步骤将晶片翻转，使其上金属导体凸块面朝下；第四步骤以晶片上的金属导体凸块与基板接触，进行加热结合；其特征在于所述的第一步骤中还包括在基板上与晶片结合的预留位置上，形成与晶片上金属导体凸块相对应的金属焊料凸块；第三步骤中使晶片上的金属导体凸块对正基板上形成的金属焊料凸块；第四步骤中晶片上的金属导体凸块与基板上金属焊料凸块接触，并施以压合加热，使晶片上金属导体凸块藉由基板上加热融熔后再硬化焊固的金属焊料凸块牢固地焊接结合于基板上。