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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]当处于运动中时的设备锁定-CN201580045002.5在审
发明人： J·嬴;E·桑;Y·郑 -专利权人：迈克菲股份有限公司
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H04M1/725 文献下载
摘要：在示例中，一种移动设备被配置成用于当如GPS接收器等检测器确定所述设备处于高于某个速度阈值(如10mph)的运动中时自动地锁定。可以使用附加检测器来判定所述设备是由用户操作还是由乘客操作，从而使得能够做出关于是否锁定所述设备的智能决策。在所述锁定期间，可以视情况而使用受限的控制来启用如GPS导航系统或音乐播放器等某些选择的应用。在一些情况下，免提操作可能是可用的。所述移动设备还可以被配置成用于提供对来电呼叫和消息的自动响应。
处于运动设备锁定

[发明专利]环氧组合物-CN201580022920.6在审
发明人： Y·郑;L·卡干巴;J-P·伦斯 -专利权人： FRX聚合物股份有限公司
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明描述了环氧树脂组合物，所述环氧树脂组合物包括低聚膦酸酯、碳二亚胺、碳二亚胺和酚类抗氧化剂或亚磷酸酯抗氧化剂，低聚膦酸酯和碳二亚胺，或低聚膦酸酯、碳二亚胺和酚类抗氧化剂或亚磷酸酯抗氧化剂，并表现出改善的玻璃化转变温度、改善的耐热性和改善的阻燃性。
组合

[发明专利]通过反射添加剂具有增强镀敷性能和宽激光窗的高模量激光直接构建聚碳酸酯复合材料-CN201480070084.4在审
发明人： Y·成;X·连;Y·安;Y·郑;J·王 -专利权人：沙特基础工业全球技术公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C08K3/00 文献下载
摘要：本公开涉及聚合物组合物，其包括聚碳酸酯聚合物、能够通过电磁辐射被激活并从而形成元素金属核的激光直接构建添加剂、和反射添加剂。还公开了制备本公开的聚合物组合物的方法和包括本公开的聚合物组合物的制品。
通过反射添加剂具有增强性能激光高模量直接构建聚碳酸酯复合材料

[发明专利]用于牙组织再生的组合物和方法-CN201480028994.6在审
发明人： J·J·毛;Y·郑;G·孙;S·王 -专利权人：纽约市哥伦比亚大学理事会
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： A61F2/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种再生牙组织的方法，包括将含有Wnt3a和BMP-7及任选存在的VEGF、bFGF或NGF的支架与牙组织接触，由此促进祖细胞的成牙本质细胞分化、促进祖细胞迁移至牙组织中，或者再生牙组织。本发明还提供了用于再生牙组织的组合物，其包含支架及Wnt3a和BMP-7，及任选存在的VEGF、bFGF或NGF。
用于组织再生组合方法

[发明专利]与TH2抑制相关的诊断和治疗-CN201510591057.8在审
发明人： J·R·阿罗恩;R·W·埃里克森;M·弗雷莫;M·哈森;G·贾;J·G·马修斯;W·普特纳姆;H·谢伦斯;Y·郑 -专利权人：弗·哈夫曼-拉罗切有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： A61K39/395 文献下载
摘要：本发明提供诊断和治疗与TH2抑制相关的病症，包括但不限于哮喘，的方法。还提供选择或鉴定用于特定治疗剂治疗的患者的方法，所述治疗剂是TH2途径抑制剂。
th2 抑制相关诊断治疗

[发明专利]无土预植垫和其生产方法-CN201480019736.1在审
发明人： G·尤里斯泰;Y·郑;M·迪克逊 -专利权人：圭尔夫大学
申请日： 2014-01-31 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： A01G31/02 文献下载
摘要：本发明涉及新型无土预植垫，其包含载体垫和植被，所述载体垫包含在户外生长条件下不降解的材料，所述制备的根部在所述载体垫之内和之下缠结。本申请还涉及用于生产所述无土预植垫的方法。
无土预植垫生产方法

[发明专利]含磷环氧化合物及其组合物-CN201480005483.2在审
发明人： Y·郑;J-P·伦斯 -专利权人： FRX聚合物股份有限公司
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： C07F9/30 文献下载
摘要：本发明中描述了含环氧基膦酸酯单体、聚合物、共聚物、低聚物和共低聚物，以及其制造方法。这些材料可以用于制造聚合物，并且可以与其他聚合物、低聚物或单体混合物组合，以制造具有优秀的耐火性的树脂，该树脂可以用于各种工业和消费产品。
含磷环氧化及其组合

[发明专利]磷光体和含有它的LEDS-CN201180017238.X无效
发明人： Y·郑 -专利权人：奥斯兰姆施尔凡尼亚公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C09K11/77 文献下载
摘要：本文公开了用在LED应用中且特别是用在磷光体转换LEDs(pc-LEDs)中的磷光体。所述磷光体具有以(Y1-xCex)3(Al1-yScy)5O12表示的组成，其中0＜x≤0.04且0＜y≤0.6，并且其可作为透明烧结陶瓷应用到LED或者以粉末形式使用。通过调整该磷光体的组成，该磷光体可制成当被发蓝光的In-GaN LED激发时发出在可见光谱的绿光到黄色区域内的光。
磷光体含有 leds

[发明专利]高速对内去偏斜电路-CN201080046683.4有效
发明人： Y·郑;H·刘;Y·范;M·W·摩根 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H04L25/02 文献下载
摘要：对于差分信号传输，特别是高速应用中，携带差分信号互补部分的路径之间的对内偏斜可显著影响性能。传统去偏斜电路采用简单滤波器，即低通滤波器，为延迟元件来操作，从而解决偏斜；然而，这些滤波器可使差分信号失真，其也可不利影响性能。本发明提供了全通、可调延迟元件和去偏斜电路，从而允许补偿偏斜而不像传统电路那样降低差分信号的质量，且因此具有更好性能特征。
高速对内偏斜电路

[发明专利]稳定的且所有溶液可加工的量子点发光二极管-CN201080029667.4有效
发明人： L·钱;Y·郑;J·薛;P·H·霍洛威 -专利权人：佛罗里达大学研究基金会公司
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明实施方式涉及量子点发光二极管(QD-LEDs)，所述量子点发光二极管中电子注入和传输层包含无机纳米粒(I-NPs)。无机纳米粒的使用使得量子点发光二极管优于那些传统的具有有机基电子注入和传输层的量子点发光二极管，且不需要化学反应来形成无机层。在本发明的一种实施方式中，空穴注入和传输层可以是金属氧化物纳米粒(MO-NPs)，使整个装置对于所有无机系统具有稳定性，且可通过一系列相对廉价的步骤形成量子点发光二极管，所述步骤包括纳米粒悬浮液的沉积和去除悬浮介质。
稳定所有溶液可加工量子发光二极管

[发明专利]具有多畴存储层的磁存储元件-CN201110364460.9有效
发明人：习海文;Y·郑;王小斌;D·V·季米特洛夫;P·J·瑞安 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种用于增强关于诸如非易失性数据存储阵列中的磁存储元件的数据写入和保持的装置和方法。根据各种实施例，可编程存储元件具有参考层和存储层。该参考层设有固定的磁定向。该存储层被编程为具有带有与所述固定的磁定向反平行的磁定向的第一区域、和带有与所述固定的磁定向平行的磁定向的第二区域。可在存储元件中纳入热辅助层以在写入操作期间增强存储层的局部加热从而帮助第一区域从平行磁定向到反平行磁定向的转变。
具有存储元件

[发明专利]具有垂直各向异性和增强层的磁性隧穿结单元-CN201110352579.4无效
发明人：丁元俊;Y·郑;Z·高 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及具有垂直各向异性和增强层的磁性隧穿结单元，其包括：铁磁自由层；具有至少约厚度的增强层；氧化物阻挡层；以及铁磁基准层，其中所述增强层和所述氧化物阻挡层位于所述铁磁基准层和铁磁自由层之间，且所述氧化物阻挡层相邻于所述铁磁基准层，且其中所述铁磁自由层、所述铁磁基准层和所述增强层均具有平面外的磁化方向。
具有垂直各向异性增强磁性隧穿结单元

[发明专利]具有辅助层的磁性叠层-CN201080019289.1有效
发明人： Y·郑;习海文;丁元俊;X·冯;X·娄;Z·高 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2010-04-27 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种磁性存储器单元，它具有铁磁自由层和铁磁被钉扎参考层，每个层具有平面外的磁各向异性和平面外的磁化方向并可经由自旋力矩切换。该单元包括接近自由层的铁磁辅助层，该辅助层具有小于约500Oe的低磁各向异性。该辅助层可具有平面内或平面外各向异性。
具有辅助磁性

[发明专利]具有垂直各向异性的ST-RAM单元-CN201080017837.7无效
发明人： D·王;习海文;Y·郑;D·季米特洛夫 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2010-03-04 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：磁性自旋转矩存储器单元，也称磁性隧道结单元，其关联的铁磁性层具有与晶片平面垂直对准的(或“处于面外的”)磁各向异性(即在零电场和零电流下的磁化方向)。存储器或磁性结单元可具有铁磁性自由层、第一被钉扎基准层和第二被钉扎基准层，每个前述层具有垂直于衬底的磁各向异性。自由层具有垂直于衬底的磁化方向，该磁化方向可通过自旋转矩从第一方向切换至相反的第二方向。
具有垂直各向异性 st ram 单元

[发明专利]具有电子反射绝缘间隔层的STRAM-CN201110189733.0有效
发明人： Y·郑;D·V·季米特洛夫;W·田;D·王;Z·高;X·王 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开了具有镜绝缘间隔层的自旋转移矩存储器。自旋转移矩存储单元(30)包括自由磁性层(F6)、参考磁性层(RL)、将自由磁性层与参考磁性层分离的电绝缘且非磁性隧穿阻挡层(TB)、电极层(E1、E2)以及将电极层与自由磁性层分离的电绝缘且电子反射层(ER)。
具有电子反射绝缘间隔 stram

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