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[发明专利]适于容纳流体供应容器及与之耦接的流路的罩壳-CN201510688814.3有效
发明人： W·卡尔·奥兰德;保罗·J·马尔甘斯基 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： F17C11/00 文献下载
摘要：一种适于容纳流体供应容器以及与所述流体供应容器耦接的流路的罩壳，通风气体流过该罩壳以流体在从容器泄漏的情况下提供安全操作。调节通风气流以适应与这种包含流体供应容器的罩壳的布置和操作相关的各种危险水平，所述流体供应容器例如为半导体制造设备中的气体箱或气瓶柜，从而减小这种布置和操作另外所需要的通风气体需求。
适于容纳流体供应容器与之罩壳

[发明专利]通风气体管理系统和方法-CN201180013817.7有效
发明人： W·卡尔·奥兰德;保罗·J·马尔甘斯基 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： B01D53/30 文献下载
摘要：一种通风气体管理系统和方法，用于适于包含流体供应容器的罩壳，通风气体流过该罩壳以流体在从容器泄漏的情况下提供安全操作。调节通风气流以适应与这种包含流体供应容器的罩壳的布置和操作相关的各种危险水平，所述流体供应容器例如为半导体制造设备中的气体箱或气瓶柜，从而减小这种布置和操作另外所需要的通风气体需求。
通风气体管理系统方法

[发明专利]半导体加工系统的清洁方法和装置-CN201210212418.X无效
发明人：小弗朗克·迪梅奥;詹姆斯·迪茨;W·卡尔·奥兰德;罗伯特·凯姆;史蒂文·E·毕晓普;杰弗里·W·纽纳;乔斯·I·阿尔诺;保罗·J·马尔甘斯基;约瑟夫·D·斯威尼;戴维·埃尔德里奇;沙拉德·叶戴夫;奥列格·比尔;格雷戈里·T·施陶夫 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2007-04-26 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工系统的清洁方法和装置。本发明涉及一种清洁离子注入系统的一个或多个组件以从所述一个或多个组件至少部分去除离子化相关沉积物的方法，包括使所述一个或多个组件与包含气相反应性材料的清洁组合物接触，在使所述气相反应性材料能够与所述沉积物发生反应的条件下，以实现所述至少部分去除。本发明的方法和装置能够最小化暴露在卤间化合物中的危险。
半导体加工系统清洁方法装置

[发明专利]半导体加工系统的清洁-CN200780023221.9有效
发明人：小弗朗克·迪梅奥;詹姆斯·迪茨;W·卡尔·奥兰德;罗伯特·凯姆;史蒂文·E·毕晓普;杰弗里·W·纽纳;乔斯·I·阿尔诺;保罗·J·马尔甘斯基;约瑟夫·D·斯威尼;戴维·埃尔德里奇;沙拉德·叶戴夫;奥列格·比尔;格雷戈里·T·施陶夫 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2007-04-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C25F1/00 文献下载
摘要：本文披露了一种用于从微电子器件制造中使用的半导体加工系统的组件上清洁残余物的方法及设备。为有效去除残余物，将这些组件与气相反应性材料在充分条件下接触足够的时间，至少部分地去除该残余物。当该残余物和构成这些组件的材料不相同时，该气相反应性材料选择性地与该残余物反应，并与构成该离子注入机的这些组件的材料是最小反应性的。当该残余物和构成这些组件的材料相同时，则该气相反应性材料可与该残余物和该组件部分两者反应。使用的特别优选的气相反应性材料包括气态化合物，例如XeF₂、XeF₄、XeF₆、NF₃、IF₅、IF₇、SF₆、C₂F₆、F₂、CF₄、KrF₂、Cl₂、HCl、ClF₃、ClO₂、N₂F₄、N₂F₂、N₃F、NFH₂、NH₂F、HOBr、Br₂、C₃F₈、C₄F₈、C₅F₈、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、COF₂、HF、C₂HF₅、C₂H₂F₄、C₂H₃F₃、C₂H₄F₂、C₂H₅F、C₃F₆，以及有机氯化物，例如COCl₂、CCl₄、CHCl₃、CH₂Cl₂和CH₃Cl。
半导体加工系统清洁

[发明专利]用于清洗离子注入机元件的新方法-CN200580044390.1无效
发明人：小弗朗克·迪梅奥;詹姆斯·迪茨;W·卡尔·奥兰德;罗伯特·凯姆;史蒂文·E·毕晓普;杰弗里·W·纽纳;乔斯·I·阿尔诺 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2005-10-21 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： B08B6/00 文献下载
摘要：一种用于清洗来自用在微电子器件制造中的离子注入机的真空室元件的、和束流线(beamline)元件的残留物的方法和装置。为了有效地移除残留物，在充分条件下使这些元件与气相活性卤化物的组分充分接触一段时间以至少部分移除残留物。选取气相活性卤化物的组分以有选择地与残留物发生反应，而不与真空室的离子源区域的元件进行反应。
用于清洗离子注入元件新方法

[发明专利]包含高工作量的物理吸附剂的流体贮藏和分送系统-CN97190176.7无效
发明人：格伦·M·汤姆;W·卡尔·奥兰德;詹姆斯·V·麦克曼那斯 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 1997-05-20 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： B01D53/04 文献下载
摘要：一种用于贮藏和分送吸附气体的吸附一解吸装置，其特征在于，物理吸附剂介质上吸附的气体可以通过压力解吸和/或热解吸而被解析，然后分送。吸附剂材料最好由对于砷化氢在40乇和650乇下测定的吸附剂工作量至少为100克砷化氢/升吸附剂材料的材料组成，即具有图1中曲线A的吸附等温线特性的吸附剂材料组成。
包含工作量物理吸附剂流体贮藏分送系统

[发明专利]在半导体制造设备中用于持留化学品及减少污染的空气控制系统和方法-CN01805806.X无效
发明人： W·卡尔·奥兰德;布鲁斯·沃尔克 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2001-02-27 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：空气控制系统和/或化学品持留设备，用于来自半导体制造设备中湿法工作台装置的烟雾的环境控制。所述的空气控制系统适合于安装在敞口结构的湿法处理工作台或密闭的微环境湿法工作台，其包括气流源和气流排气装置(4)，以使气流横向越过敞口化学品槽(6)，以截留来自槽(6)内并可能由该槽(6)附近迁移的的化学烟雾，并采用来自气流源的空气将该烟雾输送到排气装置。化学品持留设备包括(1)至少一个实体部分和至少一个切去部分的薄膜构件(112)；(2)位于薄膜构件(112)一侧的用来旋转移动所述薄膜构件(112)的第一卷型构件(118)；(3)与第一卷型构件(118)操作连接的用来转动所述第一卷型构件的动力驱动器；及(4)任选的，位于薄膜构件(112)另一侧的用来转动接受的薄膜(112)的第二卷型构件(122)，其与第一卷型构件(118)的转动一致。
半导体制造设备用于化学品减少污染空气控制系统方法

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