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[发明专利]光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件-CN201210518419.7有效
发明人： W·A·索尔;V·Y·班尼恩;J·H·J·莫尔斯;M·M·J·W·范赫彭;A·M·亚库林 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件。一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。
光学元件包括光刻设备器件制造方法以及

[发明专利]辐射系统和光刻设备-CN201110285866.8无效
发明人： A·C·瓦森克;V·Y·班尼恩;V·V·伊娃诺夫;K·N·科什烈夫;T·P·M·卡迪;V·M·克里夫塔森;D·J·W·克伦德尔;M·M·J·W·范赫彭;P·P·A·A·布洛姆;W·A·索尔;D·克拉什科夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种辐射系统和光刻设备，所述辐射系统用于产生限定一个光学轴线的辐射束。所述辐射系统包括用于产生EUV辐射的等离子体产生的放电源。放电源包括构造并配置成设置有电压差的一对电极，和系统，该系统用于在该对电极之间产生等离子体以便在电极之间的等离子体中提供放电。辐射系统还包括用于捕获来自电极的碎片的碎片捕获遮蔽件。碎片捕获遮蔽件构造并配置成将电极和以相对于光学轴线的预定球面角提供的光的路线遮挡分开，并且在该光的路线中电极之间的中心区域提供孔。
辐射系统光刻设备

[发明专利]收集器组件、辐射源、光刻设备和器件制造方法-CN200980140120.9无效
发明人： W·A·索尔;M·J·J·杰克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-09-03 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种收集器组件(300)，其包括用于将来自辐射发射点(31)(诸如极紫外辐射发射点)的辐射反射至中间焦点(18)的第一收集器反射镜(33)，来自所述中间焦点的辐射用在用于器件制造的光刻设备中。在辐射发射点(31)前面的第二收集器反射镜(35)收集另外的辐射，将它反射回至第三反射镜(36)和从第三反射镜到达中间焦点(18)。反射镜(33、35、36)可以允许辐射被高效率地且没有增加展度地收集。收集器组件(300)可以减小或移除所收集的辐射的不均匀性，例如由通过激光束阻挡件(34)收集的辐射的遮蔽所引起，所述激光束阻挡件用于防止激光激励辐射进入到光刻设备中。
收集组件辐射源光刻设备器件制造方法

[发明专利]光谱纯度滤光片、光刻设备以及用于制造光谱纯度滤光片的方法-CN200980137614.1有效
发明人： W·A·索尔;A·M·雅库尼恩;M·J·J·杰克;D·马修;H·J·凯特拉里基;F·C·范登荷尤维尔;P·E·M·库基皮尔斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司;皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2009-08-26 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种透射光谱纯度滤光片(100)，配置成透射极紫外辐射。光谱纯度滤光片(102F)包括滤光片部分(100)，所述滤光片部分(100)具有配置成透射极紫外辐射并抑制第二类型辐射的透射的多个孔(104)。每个孔(104)通过各向异性蚀刻工艺制造。
光谱纯度滤光光刻设备以及用于制造方法

[发明专利]辐射源、光刻设备以及器件制造方法-CN200980131716.2有效
发明人： M·J·J·杰克;W·A·索尔;M·M·J·W·范赫彭;V·Y·班尼恩;A·M·雅库尼恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光谱纯度滤光片，配置成允许极紫外(EUV)辐射透射通过其中并且折射或反射非极紫外伴随辐射。光谱纯度滤光片可以是源模块和/或光刻设备的一部分。
辐射源光刻设备以及器件制造方法

[发明专利]光谱纯度滤光片和光刻设备-CN200980133185.0有效
发明人： M·M·J·W·范赫彭;W·A·索尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-07-29 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光谱纯度滤光片(30)配置成反射极紫外辐射。所述光谱纯度滤光片(30)包括：基底(31)；和抗反射涂层(32)，所述抗反射涂层在所述基底(31)的顶表面上。所述抗反射涂层(32)配置成透射红外辐射。滤光片还包括多层堆叠体(33)，所述多层堆叠体(33)配置成反射极紫外辐射和基本上透射红外辐射。
光谱纯度滤光光刻设备

[发明专利]光谱纯度滤光片、包括这样的光谱纯度滤光片的光刻设备以及器件制造方法-CN200980132826.0有效
发明人： W·A·索尔;M·M·J·W·范赫彭;M·J·J·杰克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-07-29 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光谱纯度滤光片包括孔阑。光谱纯度滤光片被配置成通过配置成吸收第一波长的辐射和允许第二波长的辐射的至少一部分透射通过所述孔阑，来提高辐射束的光谱纯度。所述第一波长大于所述第二波长。光谱纯度滤光片可以用于改善极紫外(EUV)辐射束的光谱纯度。
光谱纯度滤光包括这样光刻设备以及器件制造方法

[发明专利]带可分离部段的导管-CN200980123970.8无效
发明人： W·A·索尔;M·M·J·W·范赫彭 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： A61M25/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种导管，该导管包括导管主体部段(1)和至少一个导管末端部段(2)。导管主体部段(1)可沿纵向延伸。至少一个导管末端部段(2)可位于导管主体部段(1)的远侧处。在插入导管期间可使用导管的第一操作模式，在该第一操作模式中，导管主体部段(1)和至少一个导管末端部段(2)可基本上沿纵向共同移动。当导管到达了其不能再进一步前移的位置时可使用导管的第二操作模式，在该第二操作模式中，导管主体部段(1)和至少一个导管末端部段(2)可相对于彼此移动以使得至少一个导管末端部段(2)可与导管主体部段(1)分离。
可分离导管

[发明专利]光刻设备、等离子体源以及反射方法-CN200980107377.4有效
发明人： M·M·J·W·范赫彭;W·A·索尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-03-03 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻设备，包括：等离子体源，其包括配置成包围等离子体形成位置(2)的容器(1)、配置成将光辐射(8)转移到或离开所述容器的光学装置(3)和反射器(6)，反射器(6)布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置源之间的光学路径上。所述反射器配置成在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间反射所述光辐射。所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜。
光刻设备等离子体以及反射方法

[发明专利]构造和布置以产生辐射的装置、光刻设备以及器件制造方法-CN200980106786.2无效
发明人： M·M·J·W·范赫彭;W·A·索尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-02-23 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：一种装置被构造和被布置成使用通过气体介质的放电来产生辐射。所述装置包括第一电极和第二电极(12a、12b)；和液体供给装置，其被布置成提供液体至所述装置中的位置上。所述装置被布置成电供给有电压，且将电压至少部分地供给至第一电极和第二电极，用于允许在由电压产生的电场中产生放电。放电产生辐射等离子体。所述装置还包括防护装置，其布置在放电位置(13)和连接至第一电极和/或第二电极的导电部件(11a)之间。
构造布置产生辐射装置光刻设备以及器件制造方法

[发明专利]辐射源、光刻设备以及器件制造方法-CN200880124729.2无效
发明人： V·Y·班尼恩;M·M·J·W·范赫彭;W·A·索尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：一种辐射源，配置用以产生辐射。辐射源包括第一电极(11；61)和第二电极(12；62)，配置成用以在使用期间产生放电，以由等离子体燃料产生用于发射辐射的等离子体。辐射源还包括：燃料供给装置，配置成将等离子体燃料供给到与所述第一电极(11；61)和第二电极(12；62)相关的燃料释放区域；和燃料释放装置，配置成引发从所述燃料释放区域的(由所述燃料供给装置供给的)燃料的释放。所述燃料释放区域与所述第一电极(11；61)和所述第二电极(12；62)间隔分开。
辐射源光刻设备以及器件制造方法

[发明专利]光谱滤光片、包括这样的光谱滤光片的光刻设备、器件制造方法以及由此制造的器件-CN200880108435.0无效
发明人： M·M·J·W·范赫彭斯;V·Y·班尼恩;W·A·索尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： G21K1/10 文献下载
摘要：公开了一种光刻光谱杂质滤光片，该光刻光谱杂质滤光片包括沿着光轴布置位于依次的位置上的第一和第二滤光片元件。第一滤光片元件具有沿第一方向布置的狭缝。第二滤光片元件具有沿横向于第一方向的第二方向布置的狭缝。光谱滤光片被配置以通过反射第一波长的辐射和允许透射第二波长的辐射来改善辐射束的光谱纯度，所述第一波长大于第二波长。
光谱滤光包括这样光刻设备器件制造方法以及由此

[发明专利]碎片防止系统和光刻设备-CN200880025020.7无效
发明人： W·A·索尔;M·M·J·W·范赫彭 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种碎片防止系统被构造和布置以防止从辐射源(7)发射出的碎片与来自辐射源的辐射一起传播进入到光刻设备中或在光刻设备内传播。碎片防止系统包括围绕旋转轴线(3)可旋转的第一翼片阱(2)和至少部分地包围第一翼片阱的第二翼片阱(4)。第二翼片阱包括分别相对于用于放置辐射源的中心位置光学开放的和分别相对于垂直于旋转轴线的方向光学封闭的多个翼片(6)。
碎片防止系统光刻设备

[发明专利]碎片防止系统、辐射系统以及光刻设备-CN200880024373.5无效
发明人： M·M·J·W·范赫彭;W·A·索尔;K·杰里森 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2008-07-16 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种碎片防止系统，其构造并布置成防止从辐射源(2)发射的碎片与来自辐射源(2)的辐射一起传播进入光刻设备或在光刻设备内部传播。碎片防止系统包括：孔(3)，其限定来自所述辐射源(2)的所述辐射的最大发射角(α)；和第一碎片阻挡件(4、4’)，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件(4、41)包括可旋转翼片阱。碎片防止系统还包括第二碎片阻挡件(5)，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件(4、4’)配置成覆盖所述发射角的一部分并且所述第二碎片阻挡件(5)配置成覆盖所述发射角(θ)的另一部分。
碎片防止系统辐射以及光刻设备

[发明专利]辐射系统和光刻设备-CN200780046056.9无效
发明人： A·C·瓦森克;V·Y·班尼恩;V·V·伊娃诺夫;K·N·科什烈夫;T·P·M·卡迪;V·M·克里夫塔森;D·J·W·克伦德尔;M·M·J·W·范赫彭;P·P·A·A·布洛姆;W·A·索尔;D·克拉什科夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种辐射系统，用于产生限定一个光学轴线的辐射束。所述辐射系统包括用于产生EUV辐射的等离子体产生的放电源。放电源包括构造并配置成设置有电压差的一对电极，和系统，该系统用于在该对电极之间产生等离子体以便在电极之间的等离子体中提供放电。辐射系统还包括用于捕获来自电极的碎片的碎片捕获遮蔽件。碎片捕获遮蔽件构造并配置成将电极和以相对于光学轴线的预定球面角提供的光的路线遮挡分开，并且在该光的路线中电极之间的中心区域提供孔。
辐射系统光刻设备

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