专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储器阵列、铁电晶体管及读取与写入存储器单元的方法-CN201780024915.8有效
  • D·V·N·拉马斯瓦米;W·肯尼 - 美光科技公司
  • 2017-04-17 - 2023-04-11 - H10B51/30
  • 一些实施例包含铁电晶体管。所述晶体管具有配置为第一容器的栅极电介质材料,其中所述第一容器具有第一内表面。含金属材料配置为嵌套于所述第一容器内的第二容器。所述第二容器具有具小于所述第一内表面的面积的第二内表面。铁电材料配置为嵌套于所述第二容器内的第三容器。所述第三容器具有具小于所述第二内表面的面积的第三内表面。栅极材料位于所述第三容器内。一些实施例包含具有作为存储器单元的铁电晶体管的存储器阵列。一些实施例包含在存储器阵列的存储器单元是金属铁电金属绝缘体半导体MFMIS晶体管的情况下与所述存储器单元相关的写入/读取方法。
  • 存储器阵列晶体管读取写入单元方法
  • [发明专利]写入到交叉点非易失性存储器-CN202010864196.4有效
  • 王蓓;A·卡德罗尼;W·肯尼;A·约翰逊;D·V·N·拉马斯瓦米 - 美光科技公司
  • 2017-06-02 - 2022-05-10 - G11C11/22
  • 本申请案涉及写入到交叉点非易失性存储器。描述针对非易失性存储器阵列的用于在目标存储器单元的重复存取操作期间防止对非目标存储器单元的干扰的方法、系统及装置。多个存储器单元可与共同导电线电子通信,且每一存储器单元可具有电非线性选择组件。在对目标存储器单元的存取操作(例如,读取或写入操作)之后,可通过将放电电压施加到所述共同导电线将非目标存储器单元放电。所述放电电压可(例如)具有与所述存取电压相反的极性。在其它实例中,可在存取尝试之间建立延迟以便将所述非目标存储器单元放电。
  • 写入交叉点非易失性存储器
  • [发明专利]写入到交叉点非易失性存储器-CN201780040056.1有效
  • 王蓓;A·卡德罗尼;W·肯尼;A·约翰逊;D·V·N·拉马斯瓦米 - 美光科技公司
  • 2017-06-02 - 2020-09-15 - G11C11/22
  • 本申请案涉及存储器装置,且更具体来说,涉及操作非易失性存储器阵列。描述针对非易失性存储器阵列的用于在目标存储器单元的重复存取操作期间防止对非目标存储器单元的干扰的方法、系统及装置。多个存储器单元可与共同导电线电子通信,且每一存储器单元可具有电非线性选择组件。在对目标存储器单元的存取操作(例如,读取或写入操作)之后,可通过将放电电压施加到所述共同导电线将非目标存储器单元放电。所述放电电压可(例如)具有与所述存取电压相反的极性。在其它实例中,可在存取尝试之间建立延迟以便将所述非目标存储器单元放电。
  • 写入交叉点非易失性存储器

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