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[发明专利]电子零件-CN202310056464.3在审
发明人：佐藤贵晃;增田朗丈;伊藤信弥;安藤德久;金子英树;油川健;玉木贤也;吉井彰敏 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止模制树脂意外地附着于制品外表面等上的电子零件。电子零件具有：壳体，其具有具备开口的收容部；陶瓷元件，其配置于所述收容部；金属端子，其具有与所述陶瓷元件连接电极连接部、从所述收容部露出的安装部、以及将所述电极连接部和所述安装部连接的端子臂部；壳体罩，其具有堵塞所述开口封闭板部、和从所述封闭板部的周缘向所述收容部的深度方向突出且至少一部分与作为所述收容部的侧壁的收容部侧壁对置的罩缘部；模制树脂，其填充于所述收容部内。
电子零件

[发明专利]R-T-B系永久磁铁-CN202180082701.2在审
发明人：古田敦;诹访孝裕;工藤光 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：得到含有Ce的低成本的稀土类磁体，其特征在于：HcJ高。R‑T‑B系永久磁铁包含由R2T14B化合物(R为稀土元素，T为过渡金属元素，B为硼)构成的主相颗粒和晶界。R含有Ce。晶界包含与3个以上的主相颗粒相邻的多颗粒晶界。多颗粒晶界包含富R相，在富R相中包含板状或针状的R‑T析出物。
永久磁铁

[发明专利]积和运算器、神经形态器件以及积和运算器的使用方法-CN201980005310.3有效
发明人：柴田龙雄;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06G7/60 文献下载
摘要：本发明提供一种积和运算器(1)，其包括积运算部(10)以及和运算部(11)，所述积运算部(10)包括作为电阻变化元件的多个积运算元件(10AA、10AB)和至少一个参考元件(10AMAX、10AMIN)，所述和运算部(11)至少包括检测来自所述多个积运算元件的输出的合计值的输出检测器(11A)，所述多个积运算元件各自为磁阻效应元件，包括：具有磁壁的磁化自由层；磁化方向被固定的磁化固定层；和由所述磁化自由层与所述磁化固定层夹持的非磁性层，所述参考元件为包括不具有磁壁的磁化自由层的参考磁阻效应元件。
运算器神经形态器件以及使用方法

[发明专利]天线-CN202011549586.9有效
发明人：木村雄一;立松雅大 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本发明提供在动作频带中隔离特性良好的天线。天线(100)具备：电介质层，其层叠配置有第一平面和第二平面；环状的环状导体层(13)，其形成于第一平面；第一供电线路(14)和第二供电线路(16)，其从第二平面观察处于第一平面侧，并且形成于与第一平面和第二平面不同的位置；基准电位导体层(18)，其形成于第二平面；以及导体销(19)，其从层叠方向俯视时位于环状导体层(13)的内径内，连接于基准电位导体层(18)。从层叠方向俯视时，第一供电线路(14)和第二供电线路(16)具有与环状导体层(13)重叠的部分，第一供电线路(14)的延伸方向与第二供电线路(16)的延伸方向交叉。环状导体层(13)不与基准电位导体层(18)和导体销(19)连接，第一供电线路(14)和第二供电线路(16)不与导体销(19)连接。
天线

[发明专利]滤波器-CN202310138236.0在审
发明人：森直之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明的滤波器包括第一端口、第二端口和在电路结构上设置在第一端口与第二端口之间的高通滤波器。高通滤波器包括：第一电容元件，其设置于连接第一端口与第二端口的路径；电感器，其设置于路径与地线之间；和第二电容元件，其相对于电感器并联连接。
滤波器

[发明专利]磁性体芯和磁性部件-CN202310117279.0在审
发明人：野老诚吾;吉留和宏;长谷川晓斗;奥田修弘 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01F1/14 文献下载
摘要：磁性体芯含有金属磁性粉和树脂，金属磁性粉的含有比例满足60％≤(A1/A2)≤90％。金属磁性粉包含在磁性体芯的截面上的黑乌德直径为1μm以下的小颗粒和5μm以上且小于40μm的大颗粒。与小颗粒的边缘间距离相关的(L1av/dav)×100为5以上且70以下。另外，将大颗粒与小颗粒的边缘间距离设为L2、将L2的平均值设为L2av、将L2的标准偏差设为σ，L2av为0.02μm以上且0.13μm以下，σ为0.25μm以下。
磁性部件

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201980070324.3有效
发明人：有马润;藤田实;平林润;佐佐木公平 -专利权人： TDK株式会社;株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供不容易产生电场集中导致的绝缘破坏的肖特基势垒二极管。基于本发明的肖特基势垒二极管，其包括：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)；设置在漂移层(30)上的、在俯视时包围阳极电极(40)的绝缘层(80)；和与漂移层(30)相反导电型的半导体层(70)，其设置在位于阳极电极(40)与绝缘层(80)之间的漂移层(30)的表面、以及绝缘层(80)上。
肖特基势垒二极管

[发明专利]接合结构-CN202010106441.5有效
发明人：佐藤敬;谷口晋;小林英之;折笠诚 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种用于将发光元件和基板接合的接合结构，其包括：形成于发光元件的第1电极、形成于基板的第2电极和将第1电极与第2电极接合的接合层，接合层含有第1接合金属成分和与该第1接合金属成分不同的第2接合金属成分。
接合结构

[发明专利]线圈部件-CN202010175078.2有效
发明人：西川朋永;奥村武史;川村浩司;筒井秀德 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01F27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种适于低背化并且在电路基板上的安装面积小的线圈部件。线圈部件1包括素体10以及形成于素体10的表面上的外部端子E1、E2，其中，素体10由磁性体层M1、M2和夹在其间的线圈部20构成。外部端子E1具有形成于素体10的安装面15上的电极部分E11和形成于素体10的侧面11上的电极部分E12、E13。外部端子E2具有形成于素体10的安装面15上的电极部分E21和形成于素体10的侧面12上的电极部分E22、E23。电极部分E13、E23不是整体模板，而是曲折状。据此，当使用焊料将其安装于电路基板时，焊脚的扩大受到限制，所以焊脚的尺寸小型化。因此，减小了电路基板上的安装面积。
线圈部件

[发明专利]线圈部件-CN202011536231.6有效
发明人：齐藤政太郎;荒田正纯;江田北斗;高桥耕平;岩﨑隆将 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01F17/04 文献下载
摘要：本发明的线圈部件中，在素体截面中，非磁性部在第一线圈和第二线圈之间通过。因此，在第一线圈和第二线圈之间，沿着第一线圈的磁芯和第二线圈的磁芯的方向的磁通量受到非磁性部的阻碍。从而，第一线圈的磁通量和第二线圈的磁通量难以相互干扰。
线圈部件

[发明专利]磁传感器-CN202310116197.4在审
发明人：林承彬;福井崇人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于，提供一种提高抵消磁场的产生效率的磁传感器。本发明的磁传感器(1)包括：隔着磁隙(G2)相对的磁性体层(M1、M2)、配置于由磁隙(G2)形成的磁路上的磁敏元件(R)、和卷绕于磁性体层(M1、M2)的补偿线圈(120)，磁性体层(M1、M2)、磁敏元件(R)和补偿线圈(120)集成于传感器芯片(100)。这样，由于补偿线圈(120)卷绕于磁性体层(M1、M2)，因此，抵消磁场的产生效率提高。由此，需要流过补偿线圈(120)的电流量减少，因此，不仅能够减少消耗电力，还能够减少磁敏元件(R)的热噪声。
传感器

[发明专利]光学装置、电子部件的安装方法-CN202211563470.X在审
发明人：青柳岳;福田诚 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明提供能够将沿着基板的一面配置的配线和相对于基板的一面垂直扩展的电子部件的连接端子无连接不良地可靠地连接的光学装置、电子部件的安装方法。一种光学装置，具有层叠有多个功能层的层叠基板、和配置于上述层叠基板的光学部件及电子部件，上述功能层至少具有载置上述光学部件的第一功能层、和配置于比该第一功能层靠下层且载置上述电子部件的第二功能层，在上述第一功能层的一面设置有第一配线，在上述第二功能层的一面设置有第二配线，上述电子部件的连接端子经由导电材料与上述第一配线和上述第二配线双方电连接。
光学装置电子部件安装方法

[发明专利]高电压贯通型电容器-CN202211422950.4在审
发明人：加茂雄大;龟桥健一;田中寿 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明提供一种高电压贯通型电容器，其在素体上形成有在相互对置的第一主面和第二主面上开口的贯通孔。贯通导体具有位于贯通孔内的第一部分和从第二主面突出的第二部分。绝缘壳以包围素体的方式配置。绝缘罩以包围第二部分的方式配置。绝缘管覆盖第一部分。树脂以到达素体的内表面和绝缘管之间的空间的方式填充于绝缘罩的内侧。绝缘管的电阻率为树脂的电阻率以上。
电压贯通电容器

[发明专利]芯片型电子部件-CN202180084175.3在审
发明人：三岳幸生;大塚隆史 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：本发明的问题在于，缩小包含电容器和电感器的芯片型电子部件的芯片尺寸。本发明的芯片型电子部件(1)具备：由下部电极图案(36)、上部电极图案(52)以及绝缘层(22)构成的电容器(C2)、覆盖电容器(C2)的绝缘层(24)、以及设置于绝缘层(24)上的电感图案(96)。电感图案(96)具有与电容器(C2)重叠的区间，由此，附加有辅助的电容器(C4)。这样，电感图案(96)的一部分以与电容器(C2)重叠的方式设置，因此，能够以较小的芯片尺寸获得更大的电感。而且，通过辅助的电容还能够改善特性。
芯片电子部件

[发明专利]高电压贯通型电容器-CN202211554521.2在审
发明人：加茂雄大;龟桥健一;田中寿;藤原勋 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：在本发明的高电压贯通型电容器中，在素体形成有在相互相对的第一主面和第二主面开口的贯通孔。贯通导体具有：位于贯通孔内的第一部分、和从第二主面突出的第二部分。绝缘壳体以包围素体的方式配置。绝缘罩以包围第二部分的方式配置。第一树脂以覆盖素体的方式，配置于绝缘壳体的内侧。第二树脂以到达素体的内表面和第一部分之间的空间的方式，填充于绝缘罩的内侧。第二树脂具有比第一树脂的电阻率小的电阻率。
电压贯通电容器