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[发明专利]集成发光器件、集成传感器器件以及制造方法-CN201610498455.X有效
发明人： T.考奇 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本发明涉及集成发光器件、集成传感器器件以及制造方法。本公开涉及一种集成发光器件（200）。该集成发光器件（200）包括半导体材料的衬底（205）、集成到半导体材料中的发光单元（210）、以及形成在衬底（205）与发光单元（210）之间的半导体材料中的至少一个腔体（215）。该至少一个腔体（215）的至少部分可以由空洞层上的硅（SON）工艺步骤形成。
集成发光器件传感器以及制造方法

[发明专利]用于梳状驱动MEMS装置的系统和方法-CN201710239819.7有效
发明人： S.比泽尔特;A.德赫;H.弗勒利希;T.考奇;M.纳瓦茨;A.希雷 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：根据实施例，形成MEMS换能器的方法包括在单晶硅层中形成换能器框架，其中形成换能器框架包括邻近腔形成支撑部分并且形成从支撑部分延伸的第一梳齿集合。形成MEMS换能器的方法进一步包括形成从锚定装置到支撑部分的弹性支撑以及在单晶硅层中形成第二梳齿集合。第二梳齿集合与第一梳齿集合交错对插。
用于驱动 mems 装置系统方法

[发明专利]成像电路和用于操作成像电路的方法-CN201510571876.6有效
发明人： T.考奇 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及成像电路和用于操作成像电路的方法。成像电路包括第一垂直沟槽栅极和相邻的第二垂直沟槽栅极。成像电路包括栅极控制电路。栅极控制电路以第一操作模式操作以生成将第一电荷载流子类型的光生电荷载流子加速至第一集电接触的第一空间电荷区域并且以第二操作模式操作以生成将第一电荷载流子类型的光生电荷载流子加速至第一集电接触的第二空间电荷区域。成像电路还包括图像处理电路，其基于在第一操作模式下第一集电接触处收集的第一电荷载流子类型的光生电荷载流子来确定对象的距离信息，并且基于在第二操作模式下第一集电接触处收集的第一电荷载流子类型的光生电荷载流子来确定对象的颜色信息。
成像电路用于操作方法

[发明专利]用于光谱测定应用的光电池器件和方法-CN201310150052.2有效
发明人： T.考奇 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明涉及用于光谱测定应用的光电池器件和方法。实施例涉及光电池器件。在实施例中，光电池器件包括具有不同光学厚度且其下方有光电二极管的透射层的阵列。透射层可以包括两种不同材料，例如氮化物和氧化物，这两种不同材料以类似镶嵌的方式、利用不同的成比例的区域密度来覆盖每个二极管。实施例提供了相比于传统器件的优势，这些优势包括：它们可以被集成至标准CMOS工艺中，并因此在生产上更简单且更便宜。
用于光谱测定应用光电池器件方法

[发明专利]光生电荷载流子的控制-CN201310619425.6有效
发明人： T.贝弗;H.法伊克;T.考奇;D.梅因霍尔德;H.梅尔茨纳;D.奥芬贝格;S.帕拉斯坎多拉;I.尤利希 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及光生电荷载流子的控制。描述并描绘了与光生电荷载流子的控制有关的实施例。一种制造设备的方法，所述方法包括：提供非均匀掺杂轮廓，以使得在光转换区域的至少部分中生成具有垂直场矢量分量的电场；在非均匀掺杂轮廓上方生成包括多个控制电极的控制电极结构用于引导光生电荷载流子。
电荷载流子控制

[发明专利]微机械系统和用于制造微机械系统的方法-CN201510363290.0有效
发明人： S.比泽尔特;B.宾德;H.弗勒利希;T.考奇;M.施特格曼;M.福格特 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：微机械系统和用于制造微机械系统的方法。制造微机械系统的方法包括在FEOL工艺中在晶体管区域中形成晶体管的步骤。在FEOL工艺之后，在晶体管区域中沉积保护层，其中保护层包括隔离材料。至少在不是晶体管区域的区域中形成结构化牺牲层。此外，形成至少部分覆盖结构化牺牲层的功能层。在形成功能层之后，去除牺牲层以便在功能层与沉积有牺牲层的表面之间产生空腔。保护层保护晶体管避免在MOL以及BEOL工艺中的进一步处理步骤中的蚀刻工艺期间受到损害。相同的氧化物可以用作BEOL中的金属化工艺的基础。因此，通常用作晶体管的保护的保护层可以保留在晶体管上方。因此，在BEOL工艺之前施加的保护层变成氧化物覆盖物的部分。
微机系统用于制造方法

[发明专利]粒子传感器和用于感测流体中的粒子的方法-CN201710431950.3在审
发明人： T.考奇 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G01N15/06 文献下载
摘要：本发明涉及粒子传感器和用于感测流体中的粒子的方法。各种实施例提供粒子传感器，所述粒子传感器包括第一载体，所述第一载体包括至少一个加热结构和光探测结构；设置在所述第一载体之上的至少一个间隔物结构；设置在所述至少一个间隔物结构之上的第二载体，所述第二载体包括发光结构；其中所述第一载体、所述第二载体以及所述至少一个间隔物结构被布置成提供用于流体流动的通道，其中所述发光结构被配置成向所述通道中发射光，并且其中所述光探测结构被配置成探测来自所述通道的光。
粒子传感器用于测流中的方法

[发明专利]具有可控制的光谱响应的光电探测器-CN201210339889.7有效
发明人： T.考奇 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及具有可控制的光谱响应的光电探测器。光电探测器包括具有辐射区的半导体衬底，所述辐射区被配置为：响应于所述半导体衬底的辐射，生成具有相反电荷载流子类型的电荷载流子。所述光电探测器还包括反型区生成器，所述反型区生成器被配置为：在至少两个操作状态中操作以在衬底内生成不同反型区，其中在第一操作状态中生成的第一反型区与在第二操作状态中生成的第二反型区不同，以及其中所述第一反型区和所述第二反型区具有所述半导体衬底中的不同延伸。还描述了用于制造光电探测器的对应方法和用于确定辐射的光谱特性的方法。
具有控制光谱响应光电探测器

[发明专利]集成电路装置-CN201210115711.4有效
发明人： G.霍尔费尔德;D.凯泽;T.考奇;D.梅因霍尔德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种集成电路装置，其包括：晶体管，包括栅极区域；以及波长转换元件，其中波长转换元件可以包括与晶体管的栅极区域相同的一种或多种材料。
集成电路装置

[发明专利]通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法-CN201110295461.2有效
发明人： B.宾得;B.菲斯特;T.考奇;S.科尔布;M.米勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法。一种用于提供半导体结构的方法包括通过从衬底的第一主表面蚀刻多个沟而形成牺牲结构。所述方法还包括利用覆盖材料覆盖在所述第一主表面的所述多个沟以限定所述衬底内的腔；从与所述第一主表面相对的第二主表面去除所述衬底的一部分达到所述多个沟存在的深度；以及从所述衬底的所述第二主表面蚀刻掉所述牺牲结构。
通过形成牺牲结构提供半导体方法

[发明专利]半导体制造和具有半导体结构的半导体器件-CN201110275216.5有效
发明人： B.宾德;F.霍夫曼;T.考奇;U.鲁多尔夫 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：描述并描绘了涉及半导体制造和具有半导体结构的半导体器件的实施例。本发明涉及一种方法，其包括：去除半导体衬底的至少第一部和第二部中的半导体材料，从而使得在所述半导体衬底中在所去除的第一部和第二部之间形成半导体结构；对所述半导体衬底应用迁移过程，从而使得所述半导体结构的第一部分在迁移过程之后保留而所述半导体结构的第二部分的半导体材料迁移到其他位置，其中通过所述半导体结构的第二部分的材料迁移，形成在该结构的保留下来的第一部分上方延伸且没有半导体材料的连续空间、以及在所述连续空间上方从第一部延伸到第二部的连续半导体材料层。
半导体制造具有结构半导体器件

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