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[发明专利]具有纹理化衬底的波长转换发光设备-CN201680074440.9有效
发明人： T.洛佩斯 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明的实施例包括倒装芯片半导体发光设备和布置在从该倒装芯片半导体发光设备提取的光的路径中的波长转换结构。具有纹理化顶表面的衬底定位成底表面面向波长转换结构。波长转换结构布置在衬底和倒装芯片半导体发光设备之间。
具有纹理衬底波长转换发光设备

[发明专利]宽带反射镜-CN201780023785.6有效
发明人： T.洛佩斯;J.法洪 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明描述了一种宽带反射镜（1），包括：外表面层（10）；和布置在外表面层（10）下方的电介质层叠层（11A、11B、12）；其特征在于，该电介质层叠层（11A、11B、12）包括在电介质层叠层（11A、11B、12）的相邻电介质层（11A、12）之间的界面处的至少一个图案化表面（110、120）。本发明还描述了一种发光二极管（1）。本发明还描述了一种制造宽带反射镜（1）的方法，该方法包括下列步骤：提供外表面层（10）并在外表面层（10）下方应用多个电介质层（11A、11B、12）以构建电介质层叠层（11A、11B、12），其特征在于下列步骤：在将后续电介质层（11B、12）应用到图案化表面（110、120）之前，图案化至少一个电介质层（11A、12）的表面。
宽带反射

[发明专利]用于高亮度发光装置的外围散热布置-CN201680019983.0有效
发明人： T.洛佩斯 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：在发光元件之上的波长转换元件的大量发光表面区域由反射热学传导元件覆盖。由这种反射元件反射的光在该发光结构内“再循环”，并且穿过未由该反射元件覆盖的较小区域从该结构出射。因为该热学传导元件不需要是透明的，相对厚的金属层可被使用；并且，因为该热学传导元件覆盖该波长转换元件的大量区域，这种布置的热学效率非常高。可以将该反射热学传导元件耦合至热学传导柱，该热学传导柱可以安装在热学传导基板上。
用于亮度发光装置外围散热布置

[发明专利]具有基于发射场图案的图案化表面特征的LED-CN201480035017.9有效
发明人： T.洛佩斯 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：发光元件的逸出表面包括特征（310），其包括具有基于来自发光元件的峰值光输出的方向的倾斜角度的斜坡表面（312,314）。如果光输出展现出不同方向处的数个波瓣，则斜坡表面（312,314）可以具有对应数目的不同倾斜角度（如在图3b和3c中那样）。为了最小化光到邻近特征中的重注入，邻近特征可以定位成避免具有直接面向彼此的表面。特征可以成形或定位成提供跨逸出表面的倾斜表面的伪随机分布，并且可以使用多个粗糙化过程。
具有基于发射场图案表面特征 led

[发明专利]具有反射器和顶部接触的发光器件-CN201680021931.7有效
发明人： T.洛佩斯 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明的实施例包括半导体结构，该半导体结构包括设置在n型区和p型区之间的发光层。金属母线设置在所述半导体结构上。所述金属母线的第一部分与所述半导体结构直接接触。反射器设置在所述金属母线的第二部分和所述半导体结构之间。电流阻挡结构防止电流被注入到所述第一部分下面的区域中的发光层中。
具有反射顶部接触发光器件

[发明专利]具有图案化衬底的发光器件-CN201580028825.7有效
发明人： T.洛佩斯 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：根据本发明的实施例的照明器件包括具有从衬底的表面延伸的多个孔的衬底。非III氮化物材料设置在多个孔内。衬底的表面没有非III氮化物材料。半导体结构生长在衬底的表面上。半导体结构包括设置在n型区和p型区之间的发光层。
具有图案衬底发光器件

[发明专利]具有成形衬底的半导体发光器件和制造所述器件的方法-CN201480072447.8有效
发明人： T.洛佩斯 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的实施例包括衬底（10）和生长在衬底上的半导体结构（12）。半导体结构包括设置在n型区（16）和p型区（20）之间的发光层（18）。衬底包括第一侧壁（30）和第二侧壁（32）。第一侧壁和第二侧壁设置在相对于半导体结构的主表面的不同角度处。反射性层（34）设置在第一侧壁（30）之上。
具有成形衬底半导体发光器件制造方法

[发明专利]发光二极管组件-CN201480036636.X有效
发明人： T.洛佩斯 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管组件（101），其包括具有上表面的发光半导体结构（104），和被布置成引导光从所述发光半导体结构（104）中离开的微光学多层结构（102），所述微光学多层结构（102）包括多个层，其中从所述半导体结构（104）的角度观察，第i+1层被顺序地布置在第i层上，其中第i层的折射率ni大于第i+1层的折射率ni+1，并且其中第i+1层的厚度大于第i层的厚度。本发明还涉及包括这样的发光二极管组件的发光二极管。 1
发光二极管组件发光半导体结构多层结构微光学折射率半导体结构发光二极管上表面观察

[发明专利]具有结构化衬底的发光二极管-CN201580007506.8在审
发明人： T.洛佩斯 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的实施例包括半导体发光器件。器件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的衬底。器件还包括设置在衬底的第一表面上的半导体结构。腔体设置在衬底内。腔体从衬底的第二表面延伸。腔体具有倾斜侧壁。
具有结构衬底发光二极管